本文采用MBE進行InAs/GaAs與InGaAs/GaAs量子點的生長,利用RHEED進行實時監(jiān)測,并利用RHEED強度振蕩測量生長速率。對生長的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs兩種量子點生長過程與退火情況進行對比,觀察到當RHEED衍射圖像由條紋狀變?yōu)榫W(wǎng)格斑點時,InAs所需要的時間遠小于InGaAs;高溫退火下RHEED衍射圖像恢復(fù)到條紋狀所需要的時間InAs比InGaAs要長。

　　近年來，微電子行業(yè)的高速發(fā)展，對電子器件的集成度、處理速度、高頻率以及載流子高遷移率等性能提出了更高的要求�；�于量子力學(xué)效應(yīng)的納米半導(dǎo)體技術(shù)，特別是半導(dǎo)體材料及納米電子學(xué)、光電子學(xué)、量子計算和量子通信等已成為當前國際前沿研究熱點。

　　人們在追求更新、更小、性能更優(yōu)越的量子器件的研究中發(fā)現(xiàn)，為了更好地按需對材料(及相應(yīng)的器件) 進行人工剪裁，僅在一個維度上對載流子實現(xiàn)限制常常是不夠的。人們希望電子在材料中的運動受到三維限制，電子的能量在三個方向上都是量子化的這種結(jié)構(gòu)即為量子點。近幾年來，利用分子束外延技術(shù)（Molecular Beam Epitaxy，MBE） 進行應(yīng)變自組織生長模式（Stranski- Krastanow，SK） 原位生長量子點取得突破性進展。所謂自組織生長納米量子點，是具有較大晶格失配度的兩種材料，依靠自身的應(yīng)變能量，在襯底表面上形成的具有一定形狀、尺寸和密度的自然量子點結(jié)構(gòu)。這種自發(fā)形成的小島被用于半導(dǎo)體自組裝量子點結(jié)構(gòu)材料，它廣泛應(yīng)用于光纖通信、單電子(或少電子)存儲器，以及量子計算等領(lǐng)域。用量子點材料制成的激光器具有高的特征溫度、低的閥值電流密度、高微分增益和寬的調(diào)制頻率等。

　　本文就MBE 系統(tǒng)生長InAs 及InGaAs 量子點的形成時間及高溫退火后的情況進行比較和簡單分析。

3、結(jié)論

　　利用配備RHEED 原位監(jiān)測的MBE 系統(tǒng)生長InAs 及InGaAs 量子點，并對生長過程進行實時監(jiān)測，通過RHEED 圖像演變對InAs 及InGaAs量子點的形成時間及高溫退火后的情況進行比較和簡單分析。我們得到：InAs 的量子點形成時間遠比InGaAs 量子點的形成時間短；高溫退火下InGaAs 衍射圖像恢復(fù)到條紋狀所需要的時間則比InAs 要少。本次生長也為下一步高質(zhì)量的InAs (InGaAs)/GaAs 量子點的生長和研究提供了基礎(chǔ)。

　　【作者】 何浩；賀業(yè)全；楊再榮；羅子江；周勛；丁召；

　　【Author】 HE Hao1,HE Ye-quan1,YANG Zai-rong1,LUO Zi-jiang1,2,ZHOU Xun1,3,DING Zhao1 (1.College of Science,GuiZhou University,Guiyang 550025,China;2.School of Education Administration, Guizhou College of Finance and Economics,Guiyang 550004,China;3.School of Physics and Electronic Science,Guizhou Normal University,Guiyang 550001,China)

　　【機構(gòu)】 貴州大學(xué)理學(xué)院；貴州財經(jīng)學(xué)院教育管理學(xué)院；貴州師范大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院；

　　【Abstract】 Investigates the growth of InAs/GaAs and InGaAs/GaAs quantum dots via MBE,with RHEED used for real-time monitoring of film surface morphology and for growth rate measuring through intensity fluctuation.Comparing the growing process of quantum dots and annealing conditions of InAs/GaAs with that of InGaAs/GaAs,it was found that if the RHEED pattern changes to spotty from streaky the changing time required for InAs is far shorter than that for InGaAs.By contrast,if the RHEED pattern changes reversely during high-temperature annealing,the time required for InAs is longer than that for InGaAs.

　　【關(guān)鍵詞】 MBE；RHEED；InAs/GaAs；InGaAs/GaAs；自組裝；退火；

　　【Key words】 MBE(molecular beam epitaxy)；RHEED(reflection high energy electron diffraction)；InAs/GaAs；InGaAs/GaAs；self-assembled；annealing；

　　【基金】 國家自然科學(xué)基金資助項目(60886001);;貴州大學(xué)研究生創(chuàng)新基金(2010043);;貴州省科技廳基金(Z073085);;貴州省委組織部高層人才科研特助項目(TZJF-2008-31);;貴州省優(yōu)秀科技教育人才省長專項基金;;黔省專合字(2009)114號貴州大學(xué)博士基金資助項目(X060031);;教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃(NCET-08-0651)