近年來，由于紫外光在環(huán)境保護(hù)、殺菌消毒、凈化水源、白光照明和非直線近距離通訊等領(lǐng)域有著極大的用途，AlGaN 基紫外光發(fā)光二極管(LED)研發(fā)成為了人們關(guān)注的熱點(diǎn)。

　　隨著Al 組分的升高，高質(zhì)量和高電導(dǎo)AlGaN 材料的生長越加困難，AlGaN 基紫外LED 的效率急劇下降。如何制備較高量子效率和功率的紫外LED，成了當(dāng)前急需解決的問題。

　　本文通過金屬有機(jī)物氣相外延方法，在(0001)面藍(lán)寶石襯底上成功地生長了以GaN/AlN 量子點(diǎn)代替AlGaN量子阱作為有源區(qū)的紫外LED 外延片，并首次制備了電致發(fā)光波長為308 nm 的GaN/AlN 量子點(diǎn)紫外LED 器件。變溫光致發(fā)光及瞬態(tài)發(fā)光光譜測試表明，該器件具有較高的量子效率。變電流電致發(fā)光光譜及芯片溫度測試表明，該器件具有良好的發(fā)光波長熱穩(wěn)定性。