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真空技術(shù)應(yīng)用

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推薦真空熱水鍋爐的構(gòu)造特點(diǎn)

真空熱水鍋爐的結(jié)構(gòu)是由燃燒室(火爐)、水管、負(fù)壓蒸汽室、熱交換器、熱媒介水等組成的。本文以雙回路真空熱水鍋爐為例講述真空熱水鍋爐的構(gòu)造特點(diǎn)。

PDP低灰度級(jí)圖像反伽馬校正色彩還原方法

為了解決等離子體顯示器(PDP)反伽馬校正中低灰度級(jí)增強(qiáng)引起的色彩失真和偏移,提出了一種低灰度級(jí)圖像色彩還原方法。
傳輸法模擬濾波器型輸出回路的間隙阻抗頻率特性

利用傳輸法把濾波器型輸出回路等效為雙端口微波網(wǎng)絡(luò)問題,通過理論分析,數(shù)值模擬和冷測實(shí)驗(yàn)證明了S21平方后的曲線能定性反映濾波器型輸出回路的間隙阻抗頻率特性。
改進(jìn)的AlGaN/GaN HEMT小信號(hào)參數(shù)提取算法

制作了截止頻率ft和最高震蕩頻率fmax分別為46.2和107.8 GHz的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管,并針對(duì)該器件建立了包含微分電阻Rfd和Rfs在內(nèi)的18元件小信號(hào)等效電路模型;在傳統(tǒng)的冷場條件提取器件寄生參數(shù)的基礎(chǔ)上,通過
表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器件制備工藝研究

介紹了表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器件陰極基板和陽極基板的制備方法及其詳細(xì)的真空封接工藝。
帶狀注矩形截面Cerenkov脈塞中注波互作用的研究

建立了帶狀注矩形截面Cerenkov脈塞中注波互作用的三維物理模型。采用保留金屬格柵槽區(qū)內(nèi)高次模式的方法,將電磁場表示為本征模級(jí)數(shù)和的形式,運(yùn)用Borgnis函數(shù)法和場匹配法推導(dǎo)了注波互作用結(jié)構(gòu)的混合模色散方程。
基于C-W復(fù)合膜/無定形碳納米島的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射陰極

介紹了基于C-W復(fù)合膜/無定形碳納米島的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射陰極,并對(duì)其制備工藝和發(fā)射性能進(jìn)行討論。
超高速碰撞產(chǎn)生瞬態(tài)磁場的時(shí)間尺度特征

在超高速碰撞的早期階段會(huì)產(chǎn)生瞬態(tài)等離子體云,等離子體云能以某種機(jī)理產(chǎn)生電流和磁場。在靶板表面的等離子體云中產(chǎn)生的非線性電子溫度和電子密度梯度將產(chǎn)生磁場,場的持續(xù)時(shí)間從10-6s到約60s,依賴于彈丸的碰撞能量。
柱形單極表面波等離子體天線控制模型研究

由氣體分子動(dòng)力學(xué)及波爾茲曼方程建立了基于柱形單極表面波等離子天線結(jié)構(gòu)的控制模型,通過推導(dǎo)和計(jì)算得出了一系列模型方程。
伴有二次電子發(fā)射的磁化等離子體鞘層結(jié)構(gòu)特性

等離子體鞘層二次電子發(fā)射磁場
超導(dǎo)托卡馬克EAST限制器材料的腐蝕與沉積的研究

在磁約束聚變實(shí)驗(yàn)裝置托卡馬克中,第一壁材料直接面對(duì)高溫等離子體,承受高能粒子的轟擊。隨著聚變裝置等離子體存在時(shí)間的延長及輔助加熱功率的增加,第一壁材料腐蝕和沉積將會(huì)越來越嚴(yán)重。材料的腐蝕一方面會(huì)污染等離
大氣壓等離子體射流改性船體鋼表面親水性研究

在室溫下,采用大氣壓等離子體射流對(duì)船體鋼進(jìn)行表面改性,通過水接觸角測量、掃描電鏡、X射線光電子能譜等分析測試方法研究了等離子體射流處理前后船體鋼表面潤濕性、表面形貌及化學(xué)特性的變化。
真空速凝技術(shù)制備釹鐵硼永磁體工藝的發(fā)展

從制造高性能釹鐵硼永磁體的工藝和設(shè)備兩個(gè)方面概述了真空速凝技術(shù)(SC)的發(fā)展歷程以及目前的主流技術(shù)。
基于真空蒸餾技術(shù)的內(nèi)河船舶黑水處理裝置監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)

為保護(hù)內(nèi)河水質(zhì),研發(fā)了基于真空蒸餾技術(shù)(VDT技術(shù))的內(nèi)河船舶黑水處理裝置,并對(duì)其監(jiān)控系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)設(shè)計(jì)。
雙間隙諧振腔耦合縫調(diào)諧結(jié)構(gòu)的分析與模擬

軟件模擬與理論分析結(jié)果一致,驗(yàn)證了該調(diào)諧結(jié)構(gòu)的有效性,為多間隙耦合腔高頻電路的研制和進(jìn)一步展寬速調(diào)管輸出帶寬具有重要的參考意義
時(shí)變等離子體覆蓋導(dǎo)體圓柱的雙站散射特性分析

研究時(shí)變等離子體覆蓋導(dǎo)體圓柱的雙站散射特性對(duì)等離子體隱身技術(shù)和太空再入體的跟蹤識(shí)別技術(shù)具有重要的意義。
Ka波段TE01模回旋行波管寬帶輸入耦合器的設(shè)計(jì)

Ka波段TE01模回旋行波管的輸入耦合器將矩形波導(dǎo)中輸入的TE10模轉(zhuǎn)化為圓波導(dǎo)中TE01模的行波場,以實(shí)現(xiàn)對(duì)回旋電子注角向速度的調(diào)制。
真空滅弧室與SF6滅弧室串聯(lián)的混合斷路器開斷容量增益特性分析

基于真空和SF6氣體兩種不同滅弧介質(zhì)的滅弧特點(diǎn),分析真空滅弧室與SF6滅弧室串聯(lián)組成的混合斷路器可獲得更大開斷能力的機(jī)理。
新型前柵場發(fā)射器件的研究

采用刻蝕型介質(zhì)制作前柵場發(fā)射器件。該器件中陰柵結(jié)構(gòu)的形成是利用刻蝕工藝刻蝕介質(zhì)層,一次性實(shí)現(xiàn)柵孔和陰極電極的連通,最后利用電泳沉積工藝轉(zhuǎn)移碳納米管制備成陰極發(fā)射點(diǎn)陣。
后柵結(jié)構(gòu)SnO2場致發(fā)射顯示器件的研制

采用高溫氣相法生長SnO2納米線,掃描電子顯微鏡和X射線衍射儀分析表明所生長的SnO2納米線大小均勻,直徑約為150 nm,長可達(dá)10μm。
無極燈啟動(dòng)特性研究

為了研究提高無極燈光效的方法, 本文測量了無極燈啟動(dòng)階段的電參數(shù)和發(fā)射光譜, 分析了點(diǎn)燈后阻抗、Hg原子光譜強(qiáng)度、Ar 原子光譜強(qiáng)度、等離子體參數(shù)和放電模式隨時(shí)間的變化規(guī)律。