真空技術(shù)應(yīng)用
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逆向熱鍵合技術(shù)制作SU-8膠納流控通道
本文分析了界面間粘附能的大小對(duì)圖形轉(zhuǎn)移和鍵合過程的影響,并通過改變封裝膠層的厚度,獲得了不同尺寸的納米通道,建立起膠層厚度和納米通道尺寸精確的線性關(guān)系。
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表面波激勵(lì)等離子天線輻射方向圖重構(gòu)方法研究
本文采用軟件仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證相結(jié)合的方法對(duì)等離子天線方向圖的可重構(gòu)性能進(jìn)行研究。
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InAs(001)吸附表面的不可逆重構(gòu)相變研究
本文利用反射式高能電子衍射儀對(duì)InAs(001)吸附表面進(jìn)行觀測(cè),發(fā)現(xiàn)表面(3×1)與(2×4)重構(gòu)之間存在不可逆的相變過程。
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低能C離子注入單晶硅機(jī)械和摩擦學(xué)性能
本文采用低能離子注入的方法,使用MEVVA 源將C離子注入單晶硅表面,考察了低能注入C 離子對(duì)單晶硅機(jī)械性能和摩擦學(xué)性能的影響,并相應(yīng)地探討了低載荷下的磨損機(jī)制。
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離焦量對(duì)空氣中YAG激光誘導(dǎo)Cu等離子體空間特性的影響
本文采用1064 nm的YAG 脈沖激光,通過變換激光離焦量,用光譜學(xué)方法研究在空氣中激光誘導(dǎo)銅靶所產(chǎn)生的相應(yīng)空間等離子體的特性,并從光譜學(xué)診斷的角度對(duì)等離子體特性做了進(jìn)一步的研究分析。
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新型氧化鐵納米材料的研究進(jìn)展
本文綜述了新型氧化鐵納米材料的制備、結(jié)構(gòu)以及應(yīng)用的研究進(jìn)展,探討了該研究領(lǐng)域亟待解決的問題以及今后可能的發(fā)展前景。
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缺陷層的材料吸收對(duì)遠(yuǎn)紅外窄帶濾光片的調(diào)制研究
本文基于材料的吸收特性,利用薄膜光學(xué)中的特征矩陣法分析了缺陷層材料的吸收對(duì)遠(yuǎn)紅外窄帶濾光片的影響。
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超長(zhǎng)氧化釩納米線的制備與表征
本文以V2O5為原料,以乙二胺為模板劑,結(jié)合溶膠凝膠法和水熱法制備了V2O5納米線,并利用掃描電子顯微鏡(SEM),傅里葉紅外光譜儀(FT-IR),拉曼光譜儀和X射線衍射(XRD)儀對(duì)樣品的形貌、結(jié)構(gòu)和組成成分進(jìn)行了表征和分析
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郎穆爾探針低溫低壓等離子體診斷
本文基于OrbitalMotionLimit(OML)離子收集理論確定探針電壓、電流與等離子體狀態(tài)參數(shù)的函數(shù)關(guān)系,應(yīng)用自編Matlab程序?qū)μ结槞z測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行多重濾波處理,得到的結(jié)果與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行比較,期望提高探針的檢測(cè)精度。
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不同等離子體壓強(qiáng)時(shí)擾動(dòng)磁場(chǎng)的演化規(guī)律
本文旨在應(yīng)用半解析方法,對(duì)擾動(dòng)磁場(chǎng)隨等離子體壓強(qiáng)的演化規(guī)律進(jìn)行數(shù)值模擬,并給出直圓柱位形下,不同等離子體壓強(qiáng)時(shí),徑向擾動(dòng)磁場(chǎng)、角向擾動(dòng)磁場(chǎng)和軸向擾動(dòng)磁場(chǎng)隨等離子體柱的半徑r的演化規(guī)律。
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一維碳納米材料的研究進(jìn)展
本文綜述了一維碳納米材料的制備、結(jié)構(gòu)和形貌以及潛在應(yīng)用價(jià)值的研究進(jìn)展,探討了該研究領(lǐng)域需要解決的問題以及今后可能的發(fā)展前景。
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低地球軌道空間等離子體參數(shù)的試驗(yàn)研究
本文采用微波電子回旋共振(ECR)等離子體源模擬了空間等離子體,運(yùn)用靜電探針法獲取了等離子體的伏安特性曲線,并分析了氣流量和微波源功率對(duì)電子密度的影響,對(duì)模擬分析不同軌道高度空間等離子體對(duì)航天器電位影響有
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