直流磁過濾電弧源沉積氧化鋁薄膜的研究

2013-04-20 彌謙 陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測重點實驗室

　　直流磁過濾電弧源沉積氧化鋁薄膜的研究

　　彌謙，王昆，劉哲

　西安工業(yè)大學(xué) 陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測重點實驗室

　　摘要：采用直流磁過濾電弧源技術(shù)制備氧化鋁薄膜，研究分析了薄膜制備中氧氣分量和陰極靶電流分別對薄膜折射率n、沉積速率和消光系數(shù)的影響；采用橢偏法對所制備薄膜的光學(xué)常數(shù)進行測試，沉積速率則通過薄膜厚度與沉積時間的計算得到。

　　實驗結(jié)果表明：薄膜折射率n、沉積速率和消光系數(shù)均隨著氧氣分量的增加而降低，而隨著陰極靶電流的升高而增加；分析主要是因為隨著氧氣分量和陰極靶電流的變化，基底表面鋁原子和氧氣比例發(fā)生變化，影響薄膜的相關(guān)性能。

　　關(guān)鍵詞：電弧源；氧化鋁；氧氣分量；陰極靶電流