由中國電子學(xué)會真空電子學(xué)分會主辦，微波電真空器件國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的中國電子學(xué)會真空電子學(xué)分會第十九屆學(xué)術(shù)年會定于2013年9月舉行，現(xiàn)開始進(jìn)行學(xué)術(shù)論文征集。征文有關(guān)事項(xiàng)通知如下，熱切希望真空電子學(xué)分會委員、中國電子學(xué)會會員及全國真空電子學(xué)相關(guān)領(lǐng)域的專家和工程技術(shù)人員，各高等院校、生產(chǎn)廠和研究所的教授、學(xué)者、專業(yè)人員等踴躍撰稿，積極參加。

一、征文內(nèi)容(專題1-7)

　　1、微波真空電子器件及其他真空電子管：行波管、速調(diào)管、正交場器件、多注器件、快波器件、自由電子激光、高脈沖功率器件及空間電荷控制管、離子管、氣體放電器件、真空開關(guān)管等。

　　2、場致電子發(fā)射：場致電子發(fā)射的新材料、新工藝和新原理及相關(guān)理論、模型和模擬計算;場發(fā)射器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計、制備技術(shù)、性能表征及評估方法;場致電子發(fā)射顯示的熒光粉和驅(qū)動技術(shù)。

　　3、真空微納電子器件及微納加工技術(shù)：真空微納電子學(xué)的理論、模型和模擬計算研究;真空微納電子器件及物理研究;微納加工技術(shù);太赫茲真空輻射源。

　　4、顯示器件：CRT技術(shù)、平板顯示技術(shù)(等離子)。

　　5、真空光電器件和電光源：微光攝像管、光電倍增管、紫外光電管、核輻射計數(shù)器、工業(yè)和醫(yī)療X光管、真空電光源。

　　6、系統(tǒng)和應(yīng)用：微波/毫米波功率模塊MPM、集成電源適配器、線性化器、可靠性技術(shù)、系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)(雷達(dá)、電子對抗、通信、制導(dǎo)、醫(yī)療、工業(yè)加熱、電力系統(tǒng)等)、真空設(shè)備技術(shù)。

　　7、基礎(chǔ)理論和技術(shù)：CAD技術(shù)、電真空材料和工藝、元件、電子發(fā)射、射頻擊穿、測量技術(shù)、電子光學(xué)、互作用電路、收集極、熱分析和控制。

二、論文的格式要求

　　本次學(xué)術(shù)會議將出版精美論文集，經(jīng)過會議學(xué)術(shù)論文評審組審查通過的論文將被收錄進(jìn)論文集。

　　1、格式要求：文章用A4紙幅面，頁面設(shè)置為上、下各2.0厘米、右2.0厘米、左2.5厘米(裝訂邊)，每篇文章不超過五頁。來稿請注明所屬專題，作者通信地址、郵編及傳真、電子信箱或電話(手機(jī))號，稿件經(jīng)專家組審定收錄后，將通知第一作者。

　　2、論文征集截稿日為2013年6月30日。稿件請用電子郵件投遞，收到電子回函表示確認(rèn)。

　　3、論文由幾個部分組成：題目、作者姓名、工作單位、摘要、關(guān)鍵詞、引言、正文、參考文獻(xiàn)。題目用3號黑體字，作者姓名用4號仿宋，作者單位用5號仿宋，摘要、關(guān)鍵詞引言及正文用5號宋體，文中的標(biāo)題或段落標(biāo)題為5號宋體加粗。

　　4、來稿須在末尾(參考文獻(xiàn)后)注明本論文是否口頭報告。最終是否安排口頭報告將由論文評審專家組確定，并在正式會議通知中告之作者。

三、真空電子學(xué)分會第十九屆學(xué)術(shù)年會將采用大會報告與分組口頭報告方式，口頭報告一律要求采用Power Point形式，會議將提供計算機(jī)、投影儀。

四、本屆學(xué)術(shù)年會設(shè)立35歲以下青年(第一)作者優(yōu)秀論文獎，一等獎2名、二等獎3名、三等獎4名，獎金分別為2000元、1000元和500元，并頒發(fā)由中國電子學(xué)會真空電子學(xué)分會與大功率微波電真空器件技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合署名的獲獎證書。

五、稿件為非密公開級，請作者辦理所在單位的公開發(fā)表手續(xù)，收到稿件即認(rèn)為已辦妥，文責(zé)自負(fù)。

六、通訊地址：北京749信箱科技處，100015　　　　郵件地址：g.wang163402@139.com

　　場致電子發(fā)射專題論文請發(fā)至中科院物理所李俊杰：jjli@aphy.iphy.ac.cn

　　聯(lián)系人：王剛、王軍電話：010-64386916、010-84352168　　　　傳真：010-64362878