真空應(yīng)用
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CVD直接生長技術(shù)高效碳納米管鎳氫電池的研究
采用熱化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD),在泡沫鎳表面直接生長多壁碳納米管(MWNT),以此MWNT-泡沫鎳基底為電池集流體,并使用該基底、通過干粉末滾壓工藝制備鎳氫電池電極,對電池進行了一系列的充放電性能測試。
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MPCVD法合成單晶金剛石的研究及應(yīng)用進展
本文簡介近年來MPCVD技術(shù)合成單晶金剛石的研究進展,評述了在該研究領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位的英美日等國有關(guān)公司及研究機構(gòu)所取得的成果,并對單晶金剛石的應(yīng)用前景作出了展望。
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TC4表面激光滲氮研究
以TC4合金為基材,利用連續(xù)激光器對表面激光滲氮,生成了金黃色的氮化層。用SEM,EDS,XRD 對試樣滲氮層的微觀組織結(jié)構(gòu)、元素分布以及物質(zhì)組成進行了分析,結(jié)果表明生成了氮化鈦的缺位式固溶體。
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真空保鮮技術(shù)正式應(yīng)用于中國家庭帶來健康生活
真空保鮮冷凍保鮮時間比傳統(tǒng)保鮮方式延長3-5倍,能更好的密閉容器,隔離外界空氣,更高效抑制細菌和微生物滋生,保留住更多營養(yǎng)和新鮮。
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高溫真空釬焊爐鉬屏開裂原因分析
在高溫真空釬焊爐中對汽車用三元催化凈化器金屬蜂窩載體進行真空釬焊,設(shè)備使用較短時間內(nèi),爐膽鉬屏出現(xiàn)變形、開裂失效現(xiàn)象。對開裂的高溫真空釬焊爐鉬屏進行了使用前后的形貌對比及化學(xué)成分分析。
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固體潤滑軸承用9Cr18不銹鋼離子注入與磁控濺射改性真空摩擦學(xué)研究
為了提高空間固體潤滑滾動軸承耐磨壽命,采用全方位離子注入和磁控濺射技術(shù)對空間固體潤滑軸承用9Cr18材料進行耐磨減摩表面改性研究。
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兩種不同鐵芯結(jié)構(gòu)縱磁真空滅弧室觸頭三維磁場對比分析
本文采用有限元分析軟件對兩種不同鐵芯結(jié)構(gòu)的縱磁杯狀真空滅弧室觸頭三維模型進行仿真,分析了瞬態(tài)情況下動、靜觸頭表面和觸頭開距中心平面的縱向磁場分布情況以及磁場滯后時間。
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低溫多效海水淡化用蒸汽噴射器的優(yōu)化設(shè)計
提高蒸汽噴射器性能,能夠降低低溫多效海水淡化系統(tǒng)能耗,采用理論推導(dǎo)和數(shù)值模擬相結(jié)合的方法對噴射器性能進行研究。在噴射器索科洛夫設(shè)計方法的基礎(chǔ)上,修正了噴射器最大可達噴射系數(shù)的計算模型。
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分子相互作用體積模型在錫銻合金真空蒸餾深度脫銻中的應(yīng)用
本研究利用MIVM 計算了錫銻合金組元的活度系數(shù),理論上預(yù)測了錫銻合金真空蒸餾深度脫銻的可行性,并結(jié)合驗證試驗進行了深入研究。
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偏壓對磁控濺射制備Ni摻雜TiB2基涂層結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能的影響
本文采用中頻和射頻電源的雙靶磁控濺射設(shè)備通過改變基片偏壓制備了不同偏壓的TiB2-Ni涂層。對所制備的涂層進行了結(jié)構(gòu)和性能的研究,探討了偏壓對其生長結(jié)構(gòu),以及硬度、斷裂韌性、膜基結(jié)合力和摩擦學(xué)等方面的性能。
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電子束快速成型機聚焦及偏掃系統(tǒng)的工程實現(xiàn)
闡述了電子束快速成型機聚焦及偏掃系統(tǒng)在工程上所遇到的幾個問題及解決方法。本文介紹電子束快速成型機聚焦及偏掃系統(tǒng)幾個工程問題的解決方法。
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電弧離子鍍沉積TiCx薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究
本文采用脈沖偏壓電弧離子鍍技術(shù)改變分離靶弧流獲得不同成分的TiCx薄膜,研究不同碳含量對薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響。
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電感耦合放電對雙頻容性耦合Ar-N2等離子體物理特性的影響
本文使用電感耦合增強的雙頻容性等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),采用不同頻率組合放電產(chǎn)生等離子體,探索產(chǎn)生高密度均勻等離子體的條件。
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離子后氧化對42CrMo鋼滲氮組織與耐蝕性的影響及機理分析
采用普通空氣對42CrMo鋼離子滲氮樣進行了離子后氧化處理,將離子后氧化與42CrMo鋼離子滲氮結(jié)合起來,研究離子后氧化溫度與時間對復(fù)合滲層組織及耐蝕性的影響,并從熱力學(xué)和動力學(xué)角度對離子后氧化機理進行了詳細探討
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退火溫度對DLC膜熱穩(wěn)定性及摩擦學(xué)性能的影響
采用非平衡磁控濺射技術(shù)分別在氮化硅陶瓷球和高速工具鋼圓盤表面制備了類金剛石(DLC)膜,使用箱式電阻爐對DLC膜在大氣環(huán)境中進行高溫退火處理以研究環(huán)境溫度對DLC膜摩擦學(xué)性能的影響。
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ICP刻蝕4H-SiC柵槽工藝研究
為避免金屬掩膜易引起的微掩膜,本文采用SiO2作為掩膜,詳細研究了不同工藝參數(shù)包括ICP功率、RF偏壓功率、壓強、氧氣含量等對SiC槽柵區(qū)域的刻蝕速率、SiC與SiO2的刻蝕選擇比、刻蝕形貌的影響。
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7A04鋁合金表面DLC薄膜制備及性能研究
本研究利用RF-PIII&D設(shè)備,在7A04鋁合金表面制備DLC薄膜。為提高膜基結(jié)合力,采用非平衡磁控濺射技術(shù),在鋁合金表面和DLC薄膜之間沉積一層Si膜,作為過渡層。
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等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜