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自組織InAs/GaAs與InGaAs/GaAs量子點生長及退火情況的比較

本文采用MBE進行InAs/GaAs與InGaAs/GaAs量子點的生長,利用RHEED進行實時監(jiān)測,并利用RHEED強度振蕩測量生長速率。

DyAl薄膜真空擴散滲及時效處理對燒結NdFeB磁性和耐蝕性的影響

DyAl薄膜擴散進入NdFeB表層基體中,提高了磁體的耐熱性和耐蝕性。

木質文物真空冷凍干燥的實驗研究

冷凍干燥是除去飽水文物中水分的有效方法。

CVD高純鈦成核熱動力學及鈦沉積速率分析

采用化學氣相沉積(CVD)法制備高純鈦。

磁控濺射TiAlN和WTiN薄膜的制備與摩擦性能研究

采用雙靶反應磁控濺射的方法在40Cr基體上制備了TiAlN薄膜和WTiN薄膜。

CAB玻璃基底不同方法制備的SiO2膜層性能研究

采用IAD、IBS、MS等三種方法在CAB玻璃上制備了SiO2膜層,通過納米壓痕和劃痕儀測量了膜層的納米硬度和摩擦系數(shù);利用傅里葉轉換紅外光譜儀對薄膜光譜性能進行了測量;利用SEM,觀測膜層表面和斷面形貌。

不同退火工藝對AZO膜性能的影響

采用射頻磁控濺射技術,制備了綜合性能優(yōu)良的AZO薄膜,通過不同退火工藝處理,研究了其對AZO薄膜的組織結構、電學性能及光學性能的影響。

摻鈦類金剛石膜的制備及在手表外觀件上的應用

為有效提高手表外觀件表面的耐磨、耐蝕性能和裝飾性能,采用陽極層流型氣體離子源結合非平衡磁控濺射技術,制備了梯度過渡摻鈦類金剛石(Ti-DLC)膜層,并對其在手表外觀件上的應用進行研究。

CuInS2薄膜的單源熱蒸發(fā)制備及其性能研究

以燒結合成的CuInS2粉末為原料,采用單源熱蒸發(fā)技術在玻璃基底上沉積CuInS2薄膜。

TiO2納米管上負載納米鐵的制備及其光電性能研究

AlN/WAlN/W太陽能選擇性吸收多層薄膜研究

真空沉積摻雜制備PARYLENE功能薄膜研究

介紹了高分子材料PARYLENE的真空沉積機理及其優(yōu)越性和不足。

高功率脈沖磁控濺射氬氮比對ZrN薄膜結構及性能的影響

采用高功率復合脈沖磁控濺射的方法(HPPMS)在不銹鋼基體上制備ZrN薄膜,對比DCMS方法制備的ZrN薄膜,得出HPPMS制備的薄膜表面更平整光滑、致密,既無空洞、又無大顆粒等缺陷。

CdS薄膜的制備及其在CdTe電池中的應用

CSS方法制備的薄膜結晶較大,光學和電學性能好于CBD方法制備的薄膜,太陽能電池的光電轉換效率達到10.9%.

半導體表面電學特性微觀四點探針測試技術研究進展

綜述了微觀四點探針技術近年來的研究進展,主要包括測試理論、系統(tǒng)結構與探針制備。

改進2.5維多頻大信號互作用程序模擬螺旋線行波管非線性交調互調特性

改進2.5維多頻大信號互作用程序模擬螺旋線行波管非線性交調互調特性

非晶Ni-Al-N薄膜用作Cu互連阻擋層的研究

以一種新的三元非晶化合物薄膜作為Cu 互連的阻擋層, 采用射頻磁控濺射法構架了Cu(120 nm) / Ni-Al-N(10nm) /Si的異質結。

94 GHz TE02模回旋管Vlasov 模式變換器的設計與模擬

研究并設計了一個由Vlasov 階梯型開口輻射器、橢圓面反射器和拋物面反射器組成的TE02模回旋管準光模式變換器。

后柵型場發(fā)射顯示器竄壓現(xiàn)象的研究

提出后柵型場發(fā)射顯示器( FED) 測試過程中的竄壓現(xiàn)象, 解釋該現(xiàn)象的產(chǎn)生原因。

蔭罩式PDP掃描電極和蔭罩對陽極條紋的影響

本文采用基于動力學模型的OOPIC 仿真軟件模擬具有不同掃描電極寬度和蔭罩結構的蔭罩式等離子顯示器 ( PDP) 放電單元內的放電過程, 分析單元內的條紋數(shù)量、分布狀態(tài)和介質層表面壁電荷分布情況, 研究掃描電極寬度和