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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

真空觸發(fā)開(kāi)關(guān)的起弧穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)

TVS 的開(kāi)通過(guò)程本質(zhì)上是電弧燃燒過(guò)程。針對(duì)TVS 的起弧穩(wěn)定性,搭建了一套場(chǎng)擊穿型TVS 的觸發(fā)和實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),從電氣特性和圖像特性兩個(gè)方面記錄其起弧過(guò)程.
真空觸發(fā)開(kāi)關(guān)(TVS)的觸發(fā)和實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)

真空觸發(fā)開(kāi)關(guān)(TVS)的實(shí)驗(yàn)時(shí)從不加續(xù)流到高能量的續(xù)流連續(xù)可調(diào),改變觸發(fā)電流,觀察TVS 在不同的脈沖下的開(kāi)通特性。
超音速電弧噴涂技術(shù)

超音速電弧噴涂是最新研制出的制備表面防腐耐磨涂層的新技術(shù),能廣泛用于防腐、修復(fù)和機(jī)械制造等領(lǐng)域。
負(fù)偏壓對(duì)磁控濺射氧化鋁薄膜的影響

適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓影響磁控濺射Al2O3薄膜的性能，有利于獲得高阻隔性的包裝材料。
真空觸發(fā)開(kāi)關(guān)(TVS)的基本結(jié)構(gòu)

真空觸發(fā)開(kāi)關(guān)( triggered vacuum switch ,TVS) 的基本結(jié)構(gòu)主要包括一個(gè)絕緣外殼(陶瓷或玻璃材料) 、一個(gè)金屬屏蔽罩、一對(duì)相距為d的主電極和一個(gè)觸發(fā)極.
ITO薄膜成份的深度分布和相結(jié)構(gòu)XPS分析

用XPS測(cè)試經(jīng)過(guò)磁控濺射工藝優(yōu)化的ITO薄膜的結(jié)果表明:該ITO 薄膜的內(nèi)部Sn 以SnO2 相存在,In 以In2O3 相存在,含量分別在518 %和85 %左右。
ITO薄膜的磁控濺射關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

通過(guò)磁控濺射陶瓷靶制備ITO 薄膜的工藝實(shí)驗(yàn),研究了基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)對(duì)該薄膜光電性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:當(dāng)基底加熱溫度為295 ℃、濺射電壓為250V、氧分壓占鍍膜室總壓力的8 %即主要工藝
23_8N奧氏體耐熱鋼熱處理工藝研究

對(duì)柴油機(jī)氣門用2328N奧氏體耐熱鋼按不同工藝進(jìn)行了固溶和時(shí)效處理,檢測(cè)了不同熱處理狀態(tài)鋼的顯微組織和硬度。結(jié)果表明,固溶溫度會(huì)影響2328N鋼時(shí)效后的硬度,并且隨著時(shí)效溫度的提高和時(shí)效時(shí)間的延長(zhǎng),晶內(nèi)碳化物不斷增
水溶性淬火介質(zhì)在現(xiàn)代熱處理中的應(yīng)用研究

通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析與生產(chǎn)實(shí)際應(yīng)用，JEF型水溶性淬火介質(zhì)完全可以代替油，且它的淬火冷卻速度可通過(guò)濃度來(lái)調(diào)整。
低真空變壓熱處理技術(shù)的特點(diǎn)和工藝特點(diǎn)

本文講述了低真空變壓熱處理技術(shù)的特點(diǎn)以及相關(guān)的低真空變壓熱處理爐優(yōu)良的熱處理工藝介紹。
CuAlO2的結(jié)構(gòu)和能帶特點(diǎn)

從理論上講CuAlO2具有較高的熱電優(yōu)值，材料具有比較高的Seebeck系數(shù)和電導(dǎo)率,同時(shí)層狀結(jié)構(gòu)有利于聲子散射,降低熱導(dǎo)率。
管芯封裝與應(yīng)用對(duì)半導(dǎo)體照明光源的影響

對(duì)于LED 的封裝，除了熱學(xué)處理、光學(xué)封裝設(shè)計(jì)之外，新型高轉(zhuǎn)換效率熒光粉材料、高熱導(dǎo)率低損耗封裝樹(shù)脂材料、穩(wěn)定有效驅(qū)動(dòng)電源模塊等相關(guān)技術(shù)值得研究與探討。由于LED 光源與傳統(tǒng)光源在形貌上有很大差別，在外觀上如
芯片制作對(duì)半導(dǎo)體照明光源的影響

提高芯片性能，制作低歐姆接觸電極、改善電極拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，降低器件工作電壓等，能夠有效的提高半導(dǎo)體照明光源器件的光提取效率。
材料外延與評(píng)測(cè)技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體照明光源的影響

為提高LED器件的流明效率，要改善晶體質(zhì)量，采用ECR等離子體輔助MOVPE方法進(jìn)行GaN材料的外延生長(zhǎng)。
國(guó)內(nèi)外照明光源的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)

我國(guó)大陸的半導(dǎo)體照明在面臨機(jī)遇的同時(shí)，也存在著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。如何實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)的大發(fā)展，突破國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)封鎖，成功實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明的自主化，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明相關(guān)行業(yè)、研究機(jī)構(gòu)所面臨的共同問(wèn)題。
半導(dǎo)體照明光源的基本原理

半導(dǎo)體發(fā)光二極管是半導(dǎo)體照明的核心，其發(fā)光原理為在p-n 結(jié)正向偏置條件下，通過(guò)注入到器件有源區(qū)的電子空穴對(duì)自發(fā)輻射復(fù)合，將電能轉(zhuǎn)化為光能。
氧化鋅(ZnO)薄膜的性能分析

從ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能、電學(xué)性能、光電特性、氣敏特性等方面綜述了ZnO 的研究重點(diǎn)和應(yīng)用前景。
氧化鋅(ZnO)薄膜的結(jié)構(gòu)分析

ZnO薄膜為寬帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度約3.3eV，晶體結(jié)構(gòu)為六方形纖鋅礦結(jié)構(gòu)。優(yōu)質(zhì)的ZnO薄膜具有C軸擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的眾多晶粒，每個(gè)晶粒都是生長(zhǎng)良好的六方形纖鋅礦結(jié)構(gòu)。
脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖可分為雙向脈沖和單向脈沖。
反應(yīng)磁控濺射的工作原理和遲滯現(xiàn)象的解決方法

反應(yīng)磁控濺射技術(shù)是沉積化合物薄膜的主要方式之一。沉積多元成分的化合物薄膜，可以在濺射純金屬或合金靶材時(shí)，通入一定的反應(yīng)氣體，如氧氣、氮?dú)猓磻?yīng)沉積化合物薄膜，這就稱這反應(yīng)磁控濺射。