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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

AlN納米錐的圖案化生長及場發射性能研究

通過引入鉬網作為掩膜發展了一條簡單的制備圖案化AlN 納米錐的方法。
縫紉機針桿表面沉積含過渡層DLC薄膜及性能的研究

同時放入縫紉機針桿（不銹鋼）、WC 合金、Si 片，并分別制備了DLC、Cr/DLC、Cr/CrC/DLC 三種膜層結構的DLC 薄膜，并對薄膜的表面形貌和性能進行了研究。
磁控濺射靶的磁路設計

本文中的磁場設計, 提高了磁力線平行靶面的范圍, 對靶面的均勻濺射和靶材的利用率與通常的磁場結構相比有很大的提高。
一種全靶腐蝕磁控濺射設備

基于一種利用磁場將等離子體產生與濺射分開的這種結構構造了一個實驗平臺對其進行了研究, 實現了全靶腐蝕, 提高了系統的穩定性。
基于Parylene的球形凸起微電極陣列的研究

設計了整個制備柔性微電極陣列的工藝流程，并成功制備了球形凸起微電極陣列的樣品。
電沉積法制備CuInS2薄膜

采用單步電沉積法和兩步電沉積法在Mo基底上制備CuInS2薄膜，用X射線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)表征了樣品的結構和形貌，用能量散射儀(EDX)測試了樣品中各元素含量。
基于單片機和CPLD的無線膜厚監測系統

闡述了一種基于單片機和復雜可編程邏輯器件(CPLD)的無線膜厚監測系統的功能、結構、硬件、軟件等原理及其實現。
CVD法制備單根磷摻雜P型ZnO納米線

通過CVD 方法制備得到了磷摻雜的 ZnO 納米線，用掃描電子顯微鏡（SEM）、X 射線衍射（XRD）、光致發光譜（PL）、拉曼（Raman）等多種表征手段對制備得到的樣品進行了表征。
用基于真空噴霧法制備的梯度結構來提高聚合物發光器件的光強

制備的具有梯度結構的聚合物發光器件發出光的強度，比用旋涂法和真空噴霧法所制備的單純高分子發光器件和混合結構的高分子發光器件更高
應用于CIGS太陽能電池窗口層的透明導電氧化物AZO薄膜的制備與研究

采用射頻磁控濺射技術，在常溫條件下，制備出了性能優良的透明導電AZO薄膜薄膜。
單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線的制備及其光學性能

用一種簡單的氣相合成方法成功地制備出了大量高純單晶氮化硅（α-Si3N4）納米線，氮化硅納米線的發光有一個寬的發光帶（波長從500~700 nm），發光峰位于567 nm。
單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線的制備

采用一種簡單的熱蒸法制備單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線。
卷繞式鍍膜機張力控制的改進及Matlab仿真

卷繞式鍍膜機張力控制的改進及Matlab仿真
導電薄膜電阻測量技術的可靠性研究

針對手提式薄膜方塊電阻測試儀在使用中容易出現的問題，進行分析研究，提出了解決方案，并在實驗中得到實現。
一種新型基于TiO2半導體薄膜的電致變色陣列器件

基于TiO2半導體薄膜的電致變色器件具有很高的穩定性，在未來顯示領域“電子紙”的商業化進程中具有很大的競爭潛力
DBD-PECVD法制備CN薄膜的結構及性能研究

采用介質阻擋放電等離子體增強化學氣相沉積(DBD-PECVD) 法,分別以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合氣體作為反應氣體,在單晶硅片上成功制備了CN薄膜。
磁控濺射制備(Ti,Al,Cr)N硬質薄膜及其力學性能的研究

采用超高真空反應磁控共濺射在不銹鋼基體上成功制備TiAlCrN薄膜。通過改變Cr靶濺射功率得到不同表面形貌、不同力學性能的TiAlCrN薄膜。
納米ZnO/CdSe@ZnS量子點自組裝熒光薄膜的制備

采用GDARE技術制備了ZnO納米顆粒膜，XRD分析表明晶粒生長主要沿著（002）晶面，薄膜呈現為有一定擇優取向生長的多晶結構，AFM圖像觀察到其平均粒徑為50–80nm。
磁控濺射帶電粒子的運動分布以及靶面刻蝕形貌的研究

利用有限元軟件ANSYS和數值分析軟件MATLAB仿真了磁控濺射中電磁場的分布，結合受力分析和運動理論得到了粒子在空間區域內的運動以及它們在靶面附近的位置分布特點。
Cr/CrN多層膜的結構及腐蝕性能研究

利用電弧離子鍍設備，在45#鋼基體上制備了兩種調制比的Cr/CrN多層膜。采用X 射線衍射技術(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、電子探針(EPMA)、M273A電化學系統等技術分析了薄膜的相結構、表面形貌、橫截面元素分布、模擬海