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濺射鍍膜

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推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點是靶材表面的磁場達不到正常磁控濺射時要求的磁場強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。

半球形工件內表面濺射鍍膜的膜厚均勻性研究

本文分別建立了計算模型，將圓平面靶的濺射區域簡化為線形圓環跑道，在靶材表面余弦發射、空間直線飛行的基本假設下，推導得到了各自的半球形工件內表面上的膜厚分布計算公式。
擇優濺射對深度剖析譜和深度分辨率的影響

擇優濺射是深度剖析實驗中導致所測量元素的成分分布偏離實際的一個重要因素。
高頻半橋直流磁控濺射電源設計

穩定可靠的直流電源是直流磁控濺射鍍膜質量的關鍵，本文采用開關頻率為50 kHz 的半橋拓撲，對主回路結構和參數進行設計。
磁控濺射法制備NiZnCo鐵氧體磁性薄膜的后退火處理研究

研究了后退火處理對磁控濺射法制備NiZnCo 鐵氧體磁性薄膜的成分、組織及性能影響。
氣壓及偏壓對磁控濺射TaN薄膜力學性能影響

采用電子回旋共振增強磁控濺射在不銹鋼基體上制備六方相TaN薄膜,并研究了氣壓及偏壓對TaN薄膜結構、力學性能的影響。
直流磁控共濺射制備Zn-Sb 熱電薄膜的研究

本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規律。
影響磁控濺射制備TiO2 薄膜性能的因素研究

從研究制備條件對Ti02薄膜的透射率及光學常數的影響出發，利用分光光度計測量薄膜的透射率，橢圓偏振光譜儀作為確定薄膜光學參數的測試儀器，研究了不同制備條件對Ti02薄膜光學特性的影響。
離子源對中頻反應濺射沉積AlN 薄膜結構和性能的影響

本文采用離子源輔助中頻反應磁控濺射技術沉積AlN 薄膜，通過中頻反應磁控濺射解決了因“靶中毒”引起的“打火”和沉積速率大幅度下降的問題;同時利用離子源輔助沉積，進一步提高離化率，從而提高所沉積薄膜的質量。
高功率脈沖磁控濺射試驗平臺設計及放電特性研究

高功率脈沖磁控濺射(HPPMS)因其高離化率而得到廣泛關注，是目前的熱點研究方向，為此我們搭建了試驗平臺并對HPPMS 的放電特性進行了研究。
離軸濺射法生長的BiFeO3 外延薄膜及其交換偏置效應

多鐵性BiFeO3 薄膜吸引了人們廣泛的關注，并且有望應用于磁電器件、自旋電子器件和微波器件等領域
反應濺射外延半金屬Fe3O4薄膜的各向異性和界面耦合

半金屬Fe3O4具有較高的居里溫度(858 K)和理論上100%的自旋極化率，是自旋電子學器件的理想候選材料。
磁控靶材面積與承載功率范圍及實際承載功率

磁控靶材面積與承載功率范圍及實際承載功率
磁控靶濺射沉積率的影響因素

濺射沉積率是表征成膜速度的參數，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外。
影響磁控靶濺射電壓的幾個因素

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有：靶面磁場、靶材材質、氣體壓強、陰-陽極間距等。
影響磁控靶點火電壓的幾個因素

影響磁控靶點火電壓的因素主要包括：氣體壓力、電源以及靶材。
磁控陰極濺射靶的分類

磁控陰極濺射靶，它既是一個真空鍍膜機械零部件,同時也是一個電力電子元器件。
磁控濺射及磁控濺射產生的條件-磁控濺射基本原理與工況

本文講解了磁控濺射鍍膜靶電源一文中磁控濺射基本原理與工況章節的磁控濺射以及磁控濺射產生的條件等相關的內容。
陰極濺射與濺射閥值能量-磁控濺射基本原理與工況

本文講解了磁控濺射鍍膜靶電源一文中磁控濺射基本原理與工況章節的陰極濺射與濺射閥值能量的內容。
輝光放電與等離子體-磁控濺射基本原理與工況

本文講解了磁控濺射鍍膜靶電源一文中磁控濺射基本原理與工況章節的輝光放電與等離子體的內容。
濺射鍍膜真空環境-磁控濺射基本原理與工況

本文講述了磁控濺射基本原理與工況中的濺射鍍膜真空環境。