集成電子材料研究進(jìn)展

李言榮，張萬(wàn)里，劉興釗，朱俊等

(電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，四川 成都 610054)

　　摘 要：本報(bào)告首先分析了當(dāng)前我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，特別是電子材料與元器件行業(yè)的狀況，結(jié)合國(guó)際電子信息技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，闡述了研究集成電子材料的重要意義，主要介紹了介電/GaN 集成電子薄膜生長(zhǎng)控制與性能研究情況。如采用TiO2(誘導(dǎo)層)/MgO(阻擋層)的組合緩沖層方法控制介電/GaN 集成薄膜薄膜生長(zhǎng)取向、界面擴(kuò)散，保護(hù)GaN 基半導(dǎo)體材料的性能，降低介電/GaN 集成薄膜界面態(tài)密度，建立界面可控的相容性生長(zhǎng)方法。通過集成結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與加工，研制出介電增強(qiáng)型GaN HEMT 器件和高耐壓GaN 功率器件原型，以及一體化的集成微波電容、變?nèi)莨�、壓控振蕩器、混頻器等新型元器件。

　　關(guān)鍵詞: 薄膜技術(shù)，電子材料，電子器件