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石墨烯

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金屬酞菁分子與金屬表面外延石墨烯之間的相互作用

通過(guò)低溫掃描隧道顯微鏡研究了四種金屬酞菁分子在釕單晶和鉑單晶表面外延石墨烯上的的自組裝行為。
并五苯分子在石墨烯/釕表面生長(zhǎng)行為的研究

釕表面外延生長(zhǎng)的石墨烯的摩爾斑點(diǎn)結(jié)構(gòu)顯著調(diào)制了并五苯分子的吸附生長(zhǎng)行為。
C60分子在石墨烯/釕表面生長(zhǎng)行為的研究

未充分退火的石墨烯/釕樣品表面有著各種各樣的缺陷，在這樣的基底上C60 分子依然排列成為周期性密堆的結(jié)構(gòu)而不受樣品表面臺(tái)階、缺陷以及起伏的影響。
石墨烯在表面?zhèn)鲗?dǎo)場(chǎng)發(fā)射(SCFE)陰極上的應(yīng)用研究

本文中我們研究了CNTs/Graphene 的場(chǎng)發(fā)射特性，將石墨烯應(yīng)用于一種表面?zhèn)鲗?dǎo)型FE 中，研究了Graphene 提高器件發(fā)射特性的機(jī)制，石墨烯對(duì)器件發(fā)射效率的影響等。
平行排列的直立少層石墨烯的可控制備研究

直立少層石墨烯由于具有原子級(jí)尖銳的邊緣，因而場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)因子較大，并具有優(yōu)異的電子傳輸特性和二維的導(dǎo)熱區(qū)域，使其在場(chǎng)發(fā)射器件上擁有很好的應(yīng)用潛力。
六種石墨烯的制備方法介紹

本文介紹了6種石墨烯材料的制備方法：機(jī)械剝離法、化學(xué)氧化法、晶體外延生長(zhǎng)法、化學(xué)氣相沉積法、有機(jī)合成法和碳納米管剝離法等。
化學(xué)氣相沉積法制備高質(zhì)量石墨烯

利用液態(tài)銅的良好流動(dòng)性及均勻性等特點(diǎn)消除了所得石墨烯的晶界，制備出了高質(zhì)量大面積的單層石墨烯薄膜。
化學(xué)氣相沉積制備毫米量級(jí)的單晶石墨烯

石墨烯的發(fā)現(xiàn)，為開(kāi)發(fā)基于新原理的納電子器件提供了材料和技術(shù)上的可能性。
石墨烯與碳納米管混合物的場(chǎng)發(fā)射性能研究

隨著各種碳納米材料的發(fā)現(xiàn)，包含了一維結(jié)構(gòu)和二維結(jié)構(gòu)，其中的典型代表就是碳納米管和石墨烯，使得場(chǎng)發(fā)射材料再次成為新的研究熱點(diǎn)。
大面積石墨烯二維晶體可控生長(zhǎng)及其器件應(yīng)用

石墨烯是理想的二維晶體，具有超高的載流子遷移率、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率、透光性、強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)，在高速計(jì)算芯片、復(fù)合材料、平板顯示、儲(chǔ)能元件呈現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。