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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

InAs(001)吸附表面的不可逆重構相變研究

本文利用反射式高能電子衍射儀對InAs(001)吸附表面進行觀測，發現表面(3×1)與(2×4)重構之間存在不可逆的相變過程。
真空封口機控制面板的主要作用

本文簡要介紹真空封口機控制面板五個部件的主要作用。
低能C離子注入單晶硅機械和摩擦學性能

本文采用低能離子注入的方法，使用MEVVA 源將C離子注入單晶硅表面，考察了低能注入C 離子對單晶硅機械性能和摩擦學性能的影響，并相應地探討了低載荷下的磨損機制。
離焦量對空氣中YAG激光誘導Cu等離子體空間特性的影響

本文采用1064 nm的YAG 脈沖激光,通過變換激光離焦量，用光譜學方法研究在空氣中激光誘導銅靶所產生的相應空間等離子體的特性，并從光譜學診斷的角度對等離子體特性做了進一步的研究分析。
真空用R2Co17稀土鈷磁柱表面凈化工藝的改進

本文對R2Co17 磁柱零件的表面凈化工藝加以改進，采用電化學工藝，效果良好。
新型氧化鐵納米材料的研究進展

本文綜述了新型氧化鐵納米材料的制備、結構以及應用的研究進展，探討了該研究領域亟待解決的問題以及今后可能的發展前景。
電泳沉積碳納米管場發射陰極研究進展

本文將介紹電泳法的主要技術工藝與發展，以及基于電泳技術的碳納米管薄膜材料在場電子發射陰極的研發新進展。
真空感應爐冶煉易切削鋼的氧含量控制工藝

本文對真空感應爐冶煉易切削鋼的氧含量控制工藝進行了研究，通過改進操作參數、保護氣體種類、調整合金加入順序、合金化期后保溫時間的控制等方法，在保證鋼錠內部質量的同時，實現了鋼中氧含量的精確控制，為新型易
真空熱處理爐瞬態傳熱過程的數值模擬

本文將建立一個真空熱處理爐的三維有限元模型，并通過ANSYS 軟件對其輻射傳熱熱過程進行數值模擬。
基于模糊控制和PID控制的電弧爐直流電源的研究

目前冶金行業大多采用經典的PID調節器，本文根據模糊控制理論，著重針對電流閉環提出了一種模糊控制和PID控制相結合的控制方法。
動電容式電位監測器原理和結構參數設計

本文主要研究SPM 類型的探測器。
XJPD-900磁控濺射設備的控制軟件編程及工藝試驗

本文對XJPD-900磁控濺射生產線的控制系統進行了設計，重點對應用PLC和iFix組態軟件實現工藝過程自動控制以及EXCEL表格數據存儲等的程序做了設計分析，完成了整機的工藝試驗。
DC-HCPCVD法高CH4流量下納米金剛石膜的制備及生長特性研究

本文在CH4/H2氣氛下，在高CH4流量(8sccm~12sccm)下制備納米金剛石膜，研究所得納米金剛石膜的形貌與結構，擴展直流熱陰極PCVD法納米金剛石膜制備工藝。
雙靶共濺射TiAl系高溫耐磨薄膜制備與研究

本實驗采用純金屬鋁和鈦作為雙靶，通過改變基體相對于靶材的濺射位置，在同一次濺射過程中，制備了一系列大范圍成份變化的Ti-Al系金屬間化合物薄膜。
金屬/多晶鍺硅肖特基接觸特性的影響因素研究

本文研究了幾種金屬在多晶鍺硅薄膜上的肖特基接觸特性。
Cr層厚度對Pd/Cr/Co多層膜光學性質的影響

本文對Pd/Cr/Co多層膜的光學常數進行了測量，并研究了Cr插層的厚度對多層膜光學性質的影響。
熱處理對CuInS2薄膜導電類型及光學特性的影響

本研究采用高純Cu、In和S粉混合后，單源共蒸發沉積CuInS2薄膜，再對薄膜進行合適的熱處理，研究熱處理對CuInS2薄膜的導電性能轉變及光學性能的影響。
EB-PVD在熱障涂層中的研究及應用

本文介紹了EB-PVD技術在制備熱障涂層時優勢、不足與改進措施。
高功率脈沖磁控濺射制備TiNx涂層研究

本文利用高功率復合脈沖技術制備TiNx涂層，電源能量輸出采用直流與脈沖疊加形式，主要研究氮氣流量對膜層性能的影響，并與直流磁控濺射沉積涂層進行對比研究。
真空碳熱還原煅白制取金屬鎂的冷凝實驗研究

改造后的冷凝設備對金屬鎂的直收率有很大提升。最后，對現存的傳統真空冷凝設備提出了多級冷凝的改造方案，