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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

鎳緩沖層對碳納米管薄膜強流脈沖發射特性的影響

研究了鎳緩沖層對碳納米管薄膜在強流脈沖發射模式下的發射電流和發射穩定性的影響。
冷壁法制備大發射電流密度復合陰極及其性能研究

碳納米管(CNT)又是場致發射陰極的首選材料，其在電子、機械和化學方面具有獨特特性，有較低的逸出功，極高的縱橫比，理論上可實現106 A/cm2 的場致發射電流密度。
平行排列的直立少層石墨烯的可控制備研究

直立少層石墨烯由于具有原子級尖銳的邊緣，因而場發射增強因子較大，并具有優異的電子傳輸特性和二維的導熱區域，使其在場發射器件上擁有很好的應用潛力。
不同金屬襯底制備碳納米管的生長差異及其場發射特性

基于碳納米管冷陰極的平面光源、X 射線管和微波管等，具有一定的工業應用前景。
基于郎穆爾探針的低溫低壓等離子體診斷

朗繆爾探針因其結構簡單、易于操作、可寬范圍測定等離子體參數等優點，已經成為一種重要的等離子體診斷方法。
蒸發制備鋅鎂合金鍍層中鋅鎂層的擴散研究

本文在鍍鋅鋼板表面采用真空熱蒸發鍍鎂, 再由快速退火工藝形成鋅鎂合金鍍層。通過X 射線衍射、二次離子質譜和掃描電鏡分析了在退火過程中鋅、鎂層的擴散過程, 并通過鹽霧試驗和電化學測試研究擴散過程對鋅鎂合金鍍層
沉積氣壓對納米晶硅薄膜晶化率與電輸運性能的影響

采用熱絲化學氣相沉積法在不同氣壓( 1~8Pa) 下沉積了p型納米晶硅薄膜, 研究了沉積氣壓對薄膜晶化率和電輸運性能的影響。
等離子體加強化學氣相沉積法(PECVD)制備石墨薄膜

本課題利用PECVD方法在銅箔上沉積出石墨薄膜。借助于光學顯微鏡，Raman 光譜，SEM 等手段對薄膜微觀結構及成分進行了分析。
AlMgB14-TiB2 納米復合涂層低摩擦機理的研究

為了進一步了解該復合涂層的微觀潤滑機制，使用磁控濺射技術分別制備了AlMgB14涂層和TiB2涂層，并使用共濺射技術制備了AlMgB14-TiB2納米復合涂層。
超薄鉬箔表面CVD金剛石薄膜殘余應力的研究

采用周期性磁場輔助熱絲化學氣相沉積法，以甲烷和氫氣為反應氣體，在厚為40μm 的鉬箔表面沉積金剛石薄膜。
一種鈣鈦礦結構薄膜材料復數光學常數的反演

獲得一種鈣鈦礦結構鑭鍶錳氧La0.8Sr0.2MnO3薄膜材料的復數光學常數。
直流磁過濾電弧源沉積氧化鋁薄膜的研究

采用直流磁過濾電弧源技術制備氧化鋁薄膜，研究分析了薄膜制備中氧氣分量和陰極靶電流分別對薄膜折射率n、沉積速率和消光系數的影響
高透可鋼化離線Low-E鍍膜玻璃耐鋼化性能的研究

Low-E鍍膜玻璃由于具有優異的節能性、良好的采光性、超強的環保節能性，使得Low-E 鍍膜玻璃正在成為建筑市場的新寵兒。
表面形貌對薄膜疏水性能研究

本文采用多種工藝在鈦合金基體上制備了不同疏水薄膜，通過AFM 及SEM 分析了薄膜的表面形貌，通過接觸角測試法表征了薄膜的疏水性能和表面能，比較了不同表面粗糙度對薄膜疏水性能影響。
熱絲CVD低溫下快速制備碳化硅基硅納米晶薄膜的研究

采用熱絲化學氣相沉積技術在低溫下制備碳化硅基硅納米晶薄膜。研究了CH4與總氣體流量比R對薄膜生長過程及薄膜特性的影響。
多室鍍膜機的結構特點與工業應用

介紹鍍膜技術的分類、軟硬襯底涂層設備的結構特點及多室系統、現代卷繞鍍膜機單室、雙室及三室的真空設計。
負偏壓對多弧離子鍍TiN薄膜結構和沉積速率的影響

采用多弧離子鍍設備在拋光后的高速鋼表面沉積TiN 薄膜,在其他參數不變的情況下，著重考察偏壓對薄膜的沉積速率的影響。
不同弧源電流TiN薄膜的表面形貌及其摩擦學性能研究

本文使用多弧離子鍍膜設備，采用不同的弧源電流制備了TiN 薄膜，對其硬度、表面形貌以及摩擦系數等進行了測試，從電弧沉積的物理機制角度詳細分析了弧源電流對TiN 薄膜表面熔滴的影響。
弧源電流對TiN薄膜摩擦系數的影響

本文講述了弧源電流對TiN薄膜摩擦系數的影響。
弧源電流對TiN薄膜硬度的影響

本文講述了弧源電流對TiN薄膜硬度的影響。