久久精品亚洲一区二区三区浴池,欧美日本一二三区,成人精品一区二区三区电影黑人

真空鍍膜

真空技術網>真空應用>真空鍍膜>

推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

光學級CVD金剛石膜的研究進展與應用

首先介紹了光學級CVD金剛石厚膜和薄膜的制備，隨后指出了國內外光學級CVD金剛石膜的研究進展，最后進行了光學級CVD金剛石膜的前景展望。
Cu含量對脈沖偏壓電弧離子鍍TiN-Cu納米復合薄膜硬度的影響

用脈沖偏壓電弧離子鍍技術在高速鋼基體上制備了一系列不同Cu含量的TiN-Cu納米復合薄膜，分別測試了薄膜的成分、形貌、相組成、硬度和彈性模量，重點考察薄膜成分對其硬度和彈性模量的影響。
一種新型楔形膜在真空中的制作方法及測試結果

提出了一種新型楔形膜在真空中的制作方法，可以替代白光干涉位移傳感器中的關鍵元件。
ZSN-800AG2電子束蒸發鍍膜機程序化自動控制系統的設計

本文對ZSN-800AG2電子束蒸發鍍膜機的控制系統進行了設計，重點對應用iFix 組態軟件實現工藝過程用戶可編程序化的動控制方法設計以及數據存儲和趨勢曲線顯示等做了設計分析，完成了整機的工藝試驗。
Si90Al10Nx薄膜的工藝控制及光學性能研究

通過改變磁控濺射過程中氬氣與氮氣的分壓比，制備了多種不同厚度的Si90Al10Nx薄膜樣品，并采用透射率輪廓法對樣品在熱處理前后的光學性能進行了測量和分析。
溫度對磁控濺射氮化鈦薄膜光學性能的影響

本文采用能量過濾磁控濺射技術，通過改變沉積溫度在玻璃襯底上制備了一系列TiN 薄膜。利用XRD進行了物相鑒定，使用分光光度計、橢圓偏振光譜儀和四探針電阻儀測試了TiN 薄膜的光學性能。
基于正交試驗法TiO2納米薄膜的制備及光電性能的研究

以商業TiO2納米粉為原料，將其充分研磨得到膠體，用刮涂和熱處理的方法在氟摻雜氧化錫導電玻璃基底上制備TiO納米多孔薄膜陽極，并組裝成染料敏化太陽能電池。
多弧離子鍍TiN/TiCrN/CrN多元多層復合膜的制備及性能研究

采用XH-800多弧離子鍍設備在硬質合金刀具表面制備TiN/TiCrN/CrN多元多層復合膜。
高速微晶硅薄膜沉積功率利用效率的測量與優化

為了實現低成本微晶硅薄膜的高速沉積，需要盡可能的優化工藝參數，特別是提高功率利用效率對于降低生產成本，以及提高工藝穩定性都具有重要的意義。
氧化鎳溶膠-凝膠薄膜阻變特性研究

用溶膠-凝膠法在ITO基片上旋涂制備了NiO薄膜, 通過對ITO/NiO薄膜/GaIn器件進行伏安特性測試, 研究了溶膠濃度、退火、層數以及Cu摻雜等對其電學特性的影響。
溶膠-凝膠法制備Li摻雜ZnO納米薄膜及其表征

采用溶膠-凝膠法在玻璃基底上制備了ZnOBLi薄膜。研究了薄膜厚度對薄膜結構及光電性能的影響。
新型弧光輝光協同共放電(APSCD)真空鍍膜機的研制

本文闡述了新型的弧光輝光協同共放電真空鍍膜機的設計思想及應用，敘述了鍍膜機的整體結構、圓柱靶的設計和磁場模擬、工件籃的結構和輝光弧光共放電的原理。
氮氣流量對電弧離子鍍CrN薄膜組織結構和性能的影響

利用電弧離子鍍技術在高速鋼基體上于不同氮氣流量條件下制備CrN薄膜樣品，分析了薄膜的硬度、彈性模量、厚度、表面形貌和物相結構。
太陽能選擇性吸收薄膜研究進展及展望

本文從太陽能選擇性吸收薄膜的原理出發，對材料選擇、吸收機理以及制備方法等方面進行了介紹，對限制太陽能選擇性吸收薄膜性能的主要因素進行了分析。
太陽能選擇性吸收薄膜的國內外發展現狀

對太陽能選擇性吸收薄膜的國內外發展現狀進行了論述。
太陽能選擇性吸收薄膜常用制備方法

太陽能選擇性吸收薄膜常用的制備方法主要有化學鍍、電化學沉積法( 電鍍和陽極氧化法)、化學轉換著色法、溶膠凝膠法、刷涂法、高頻磁控濺射法、氣相沉積法及等離子噴涂法等。
太陽能選擇性吸收薄膜材料選擇與吸收機理

金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和半導體等成為制備太陽能選擇性薄膜的主要材質，形成了很多種類型的綜合應用為主要類型的多種太陽能選擇性薄膜。
太陽能選擇性吸收薄膜的基本原理

物體的溫度不同，在相同的波長下，吸收比也不等于發射率；不同的波長，物體的吸收比與發射率也不相等，這就是太陽能選擇性吸收薄膜的最基本的理論依據。
磁傳動式浮球液位計的設計及其在VPI中的應用

本文介紹了磁傳動式浮球液位計的設計結構、原理、性能及其在VPI中的應用。
基片溫度對脈沖激光沉積CNx薄膜的組織結構和摩擦學性能的影響

采用脈沖激光燒蝕氮化碳薄膜靶，在室溫至450℃基片溫度下制備了CNx薄膜。利用掃描電鏡、X射線衍射儀、X射線光電子譜儀和拉曼光譜儀等對薄膜的形貌、結晶性和結合鍵狀態進行了表征。