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基于溶膠凝膠法的二氧化錫復(fù)合薄膜的制備及表征

以金屬無機鹽SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和無水乙醇為原料,用溶膠凝膠法制備了SnO2和CuO摻雜的CuO-SnO2薄膜,并用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和電化學(xué)工作站對樣品進行了表征。

基于差異進化算法的橢偏測量數(shù)據(jù)反演

為解決橢偏法測量薄膜厚度和折射率實驗數(shù)據(jù)處理較為復(fù)雜的問題,采用一種新的基于群體智能的優(yōu)化算法—差異進化算法處理實驗數(shù)據(jù);以單層吸收薄膜的測量為例,利用該算法進行數(shù)據(jù)處理,

SiO2/聚酰亞胺/SiO2復(fù)合薄膜絕緣性能及基于聚酰亞胺復(fù)合薄膜的后柵型場致發(fā)射性能的研

使用射頻磁控濺射和化學(xué)溶液法制備了SiO2/聚酰亞胺(PI)/SiO2絕緣膜。分別使用X射線衍射、掃描電鏡對薄膜結(jié)構(gòu)和薄膜表面形貌進行了表征

p型微晶硅膜的研究及其在異質(zhì)結(jié)太陽電池中的應(yīng)用

首先采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備了電導(dǎo)率為0.13 S/cm、晶化率為50%的p型微晶硅,然后制備了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)異質(zhì)結(jié)太陽電池。

In0.14Ga0.86As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析

以在UHV/MBE-STM聯(lián)合系統(tǒng)上生長的19ML的InGaAs/GaAs樣品為研究對象,先在GaAs(001)襯底上外延生長0.37μm的GaAs緩沖層,再外延生長19ML的InGaAs,通過樣品生長速率大致確定其組分為In0.14Ga0.86As

H2O+O2氣氛下電子束蒸鍍制備MgO介質(zhì)保護膜特性研究

采用電子束蒸鍍法在H2O+ O2氣氛下制備了MgO介質(zhì)保護膜,通過掃描電鏡、X射線衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌與晶體結(jié)構(gòu),研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜對等離子屏放電特性的影響。

直流熱陰極PCVD法摻氮納米金剛石薄膜形貌及結(jié)構(gòu)的影響

采用直流熱陰極等離子體化學(xué)氣相沉積（PCVD）技術(shù)，通過在CH4/H2的混合反應(yīng)氣源中通入不同流量的N2,合成了摻氮納米金剛石薄膜。

CHN薄膜的制備方法與工藝研究

采用空心陰極等離子化學(xué)氣相沉積方法,以NH3/H2的混合氣體及CH4氣體為原料反應(yīng)氣體,成功地制備了非晶的CHN薄膜,研究了CHN薄膜的沉積速率與直流電壓及反應(yīng)氣體流量的關(guān)系。

基于光纖通訊的真空鍍膜控制系統(tǒng)

針對鍍膜的特殊要求，通過分析傳統(tǒng)控制方式的不足，提出了新型的控制方式，即光纖通訊。

基于遺傳算法的真空磁控濺射射頻阻抗匹配仿真研究

針對真空磁控濺射射頻電源阻抗匹配問題, 設(shè)計射頻L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

磁控過程的計算機模擬

本文基于蒙特卡羅方法，并結(jié)合SRIM軟件，編制程序跟蹤模擬了磁控濺射各物理過程的粒子狀態(tài)。

直流熱陰極PCVD法間歇生長模式間歇周期的研究

采用直流熱陰極PCVD方法間歇生長模式，在CH4-H2氣氛常規(guī)制備微米晶金剛石膜的參數(shù)條件下，利用人工干預(yù)二次形核工藝，研究了間歇周期變化對制備納米晶金剛石膜的影響。

CHN薄膜化學(xué)結(jié)構(gòu)和成分分析

采用外置式電容耦合低壓等離子化學(xué)氣相沉積法制備非晶CHN 薄，并分析其化學(xué)結(jié)構(gòu)和成分分析。

真空鍍膜機雙軸磁性液體密封的設(shè)計與實驗研究

為了解決真空鍍膜機雙軸密封問題, 對真空鍍膜機雙軸采用磁性液體密封, 設(shè)計了磁性液體密封整體結(jié)構(gòu)、密封極齒和永久磁鐵。

含鈦MoS2合金減摩鍍層摩擦學(xué)性能研究

應(yīng)用閉合磁場非平衡磁控濺射離子鍍技術(shù), 制備了不同Ti含量的MoS2合金減摩鍍層, 研究了添加元素Ti含量對鍍層厚度、硬度、摩擦系數(shù)等的影響規(guī)律。

含Ag2O型高密度聚乙烯基真空蒸鍍復(fù)合膜的抗菌性研究

本文通過真空蒸鍍法制備得到含銀型高密度聚乙烯(HDPE)基抗菌復(fù)合膜(Ag2O/HDPE) , 利用原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡及原子吸收光譜法測試手段對膜進行了表征, 并考察了復(fù)合膜的抗菌動力學(xué)和抗菌長效性, 以及對細(xì)菌的

Zr/Nb薄膜材料的制備及界面結(jié)構(gòu)研究

通過直流磁控濺射法在單晶Si(100) 基底上制備了Zr/Nb/Si薄膜材料。

U及Si基表面TiAl薄膜的制備及組織結(jié)構(gòu)研究

利用Gibbs自由能判據(jù)計算了室溫和1000 K溫度下TiAl體系非晶形成成分區(qū)間。

濺射氣壓對碳化釩薄膜微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能的影響

采用碳化釩靶的磁控濺射方法在不同的Ar氣壓下制備了一系列碳化釩薄膜, 利用能量分析光譜儀, X射線衍射,掃描電子顯微鏡, 原子力顯微鏡和微力學(xué)探針研究了氣壓對薄膜成分、相組成、微結(jié)構(gòu)以及力學(xué)性能的影響。

分子動力學(xué)模擬不同入射能量的CH與碳?xì)浔∧さ南嗷プ饔?/a>