2020国自产拍精品天天更新,国产欧美日韩精品第二区,亚洲视频免费在线

薄膜厚度對(duì)TGZO透明導(dǎo)電薄膜光電性能的影響

利用直流磁控濺射法, 在室溫水冷玻璃襯底上成功制備出了可見(jiàn)光透過(guò)率高、電阻率低的鈦鎵共摻雜氧化鋅( TGZO) 透明導(dǎo)電薄膜。

氣相沉積硅薄膜微結(jié)構(gòu)及懸掛鍵缺陷研究

在單晶Si(100)基體上利用電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備硅薄膜, 并采用X射線衍射譜(XRD)、透射電鏡(TEM)、Raman光譜、電子自旋共振(ESR)波譜等實(shí)驗(yàn)方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微結(jié)構(gòu)及懸掛鍵密度的變

激光熱處理對(duì)類金剛石薄膜結(jié)構(gòu)的影響

用真空陰極過(guò)濾電弧法沉積了厚度為2nm的類金剛石(DLC)薄膜, 研究了激光加熱退火時(shí)薄膜結(jié)構(gòu)和表面粗糙度的變化, 分析了激光加熱功率對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的影響。

CVD高純鈦成核熱動(dòng)力學(xué)及鈦沉積速率分析

采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備高純鈦。

磁控濺射TiAlN和WTiN薄膜的制備與摩擦性能研究

采用雙靶反應(yīng)磁控濺射的方法在40Cr基體上制備了TiAlN薄膜和WTiN薄膜。

CAB玻璃基底不同方法制備的SiO2膜層性能研究

采用IAD、IBS、MS等三種方法在CAB玻璃上制備了SiO2膜層,通過(guò)納米壓痕和劃痕儀測(cè)量了膜層的納米硬度和摩擦系數(shù);利用傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜儀對(duì)薄膜光譜性能進(jìn)行了測(cè)量;利用SEM,觀測(cè)膜層表面和斷面形貌。

不同退火工藝對(duì)AZO膜性能的影響

采用射頻磁控濺射技術(shù),制備了綜合性能優(yōu)良的AZO薄膜,通過(guò)不同退火工藝處理,研究了其對(duì)AZO薄膜的組織結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能及光學(xué)性能的影響。

摻鈦類金剛石膜的制備及在手表外觀件上的應(yīng)用

為有效提高手表外觀件表面的耐磨、耐蝕性能和裝飾性能,采用陽(yáng)極層流型氣體離子源結(jié)合非平衡磁控濺射技術(shù),制備了梯度過(guò)渡摻鈦類金剛石(Ti-DLC)膜層,并對(duì)其在手表外觀件上的應(yīng)用進(jìn)行研究。

CuInS2薄膜的單源熱蒸發(fā)制備及其性能研究

以燒結(jié)合成的CuInS2粉末為原料,采用單源熱蒸發(fā)技術(shù)在玻璃基底上沉積CuInS2薄膜。

TiO2納米管上負(fù)載納米鐵的制備及其光電性能研究

AlN/WAlN/W太陽(yáng)能選擇性吸收多層薄膜研究

真空沉積摻雜制備PARYLENE功能薄膜研究

介紹了高分子材料PARYLENE的真空沉積機(jī)理及其優(yōu)越性和不足。

高功率脈沖磁控濺射氬氮比對(duì)ZrN薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響

采用高功率復(fù)合脈沖磁控濺射的方法(HPPMS)在不銹鋼基體上制備ZrN薄膜,對(duì)比DCMS方法制備的ZrN薄膜,得出HPPMS制備的薄膜表面更平整光滑、致密,既無(wú)空洞、又無(wú)大顆粒等缺陷。

CdS薄膜的制備及其在CdTe電池中的應(yīng)用

CSS方法制備的薄膜結(jié)晶較大,光學(xué)和電學(xué)性能好于CBD方法制備的薄膜,太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到10.9%.

半導(dǎo)體表面電學(xué)特性微觀四點(diǎn)探針測(cè)試技術(shù)研究進(jìn)展

綜述了微觀四點(diǎn)探針技術(shù)近年來(lái)的研究進(jìn)展,主要包括測(cè)試?yán)碚�、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與探針制備。

鎳硅顆粒膜的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射特性

提出采用鎳硅顆粒薄膜作為表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示的發(fā)射體材料，通過(guò)光刻和磁控濺射在兩電極（10 μm 間隙）之間制備30 nm 厚的鎳硅顆粒膜。

鍍膜裝置蒸發(fā)源發(fā)射形態(tài)與膜厚分布

根據(jù)蒸發(fā)源與基片之間的物理聯(lián)系入手，分析基片- - 蒸發(fā)源距離對(duì)基片涂層均勻性的影響，進(jìn)而對(duì)蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間距離的確定，提出了自己的一些觀點(diǎn)和看法。

磁控濺射鍍膜膜厚均勻性設(shè)計(jì)方法

在現(xiàn)有的理論基礎(chǔ)之上，對(duì)濺射鍍膜的綜合設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了初步的建立和研究，系統(tǒng)的建立可以采用“整體到部分，再到整體”這一動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)理念，不斷完善設(shè)計(jì)方法，并將設(shè)計(jì)方法分為鍍膜設(shè)備工程設(shè)計(jì)、鍍膜工藝設(shè)計(jì)和計(jì)算

磁控濺射沉積二氧化釩薄膜及其電致相變特性研究

采用反應(yīng)射頻磁控濺射技術(shù)在熔融石英玻璃襯底上制備了組分單一的二氧化釩薄膜。

SiC薄膜材料理論模擬研究的動(dòng)態(tài)

SiC因其寬的禁帶寬度、高的電子飽和速度、大的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的熱導(dǎo)率和熱穩(wěn)定性等特性而成為制作高頻、大功率和耐高溫器件的理想材料。