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膜層的光學薄膜參數測量方法研究

簡述了研究膜層光學薄膜參數測量方法的必要性。詳細介紹了各種測量方法的理論思想、測量準確度、測量范圍。綜合比較了各種測量方法的優缺點和適用性，研究了測量不同類型薄膜系統膜層光學薄膜參數的最佳測量方法。最

冷水機在真空鍍膜工藝中的作用

冷水機能控制真空鍍膜機的溫度，以保證鍍件的高質量。冷水機在真空鍍膜工藝中的作用是非常重要的。

氧化鎳薄膜阻變特性研究進展

本文從器件結構、開關機理及摻雜等方面對近年來NiO薄膜阻變特性研究進行了綜述與分析，并對阻變存儲未來發展趨勢及面臨的挑戰進行了展望。

離子束輔助磁控濺射沉積CrNx薄膜結構以及力學性能研究

本文采用離子束輔助磁控濺射制備CrNx薄膜，研究了不同氮氣流量下薄膜的微形貌、組織結構以及硬度、彈性模量的變化，分析了離子束輔助對反應磁控濺射沉積CrNx薄膜的影響。

柵極絕緣層和有源層沉積工藝的優化對TFT特性的影響研究

本文針對AL層的SiH4和H2流量、壓力、間距以及功率設計了5因子2水平的1/4的部分因子實驗，確定了AL層提升Ion的最佳的沉積條件，在AL層的最佳的沉積條件的基礎上，設計GL層的NH3流量和功率的全因子實驗。

類金剛石膜-磨粒滑動接觸過程的有限元分析

本文采用ANSYS有限元軟件分析磨粒與DLC膜表面滑動接觸的整個過程，研究DLC膜表面接觸區域的相關應力和應變的變化特點，力圖為DLC膜的表面磨損機理研究以及抗磨設計提供相關理論依據。

SiCOH低k介質中低表面粗糙度溝道的刻蝕研究

本工作以獲得具有完整剖面結構的低表面粗糙度溝道為目標，采用C2F6/O2/Ar雙頻容性耦合等離子體，開展了SiCOH低k介質中溝道刻蝕的研究。

電泳沉積碳納米管場發射陰極研究進展

本文將介紹電泳法的主要技術工藝與發展，以及基于電泳技術的碳納米管薄膜材料在場電子發射陰極的研發新進展。

DC-HCPCVD法高CH4流量下納米金剛石膜的制備及生長特性研究

本文在CH4/H2氣氛下，在高CH4流量(8sccm~12sccm)下制備納米金剛石膜，研究所得納米金剛石膜的形貌與結構，擴展直流熱陰極PCVD法納米金剛石膜制備工藝。

Cr層厚度對Pd/Cr/Co多層膜光學性質的影響

本文對Pd/Cr/Co多層膜的光學常數進行了測量，并研究了Cr插層的厚度對多層膜光學性質的影響。

銅銦鎵硒薄膜太陽電池的研究進展

綜述了國內外銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池的研究現狀。

雙靶磁控濺射共沉積V-C-Co薄膜的結構及力學性能

工作壓強對輝光放電聚合物薄膜化學結構與表面形貌的影響

本文研究了工作壓強對GDP薄膜表面形貌與化學結構的影響。利用功率譜密度(PSD)曲線對薄膜表面形貌進行全頻譜分析，計算了與薄膜形貌生長相關的參數。

低氣壓射頻空心陰極放電氬等離子體發射光譜分析

本文以射頻空心陰極放電等離子體為研究對象, 重點研究低于10Pa氣壓的放電工藝參數對于發射光譜的影響規律。

電子回旋共振等離子體輔助原子層沉積金屬鋁薄膜的研究

本文在電子回旋共振等離子體輔助下，以三甲基鋁為鋁源，氫氣為還原劑，通過將它們交替通入反應腔內，成功制備了金屬鋁薄膜，研究沉積參數對Al薄膜的性能和結構成分的影響。

襯底溫度對ZnO:Al薄膜熱電性能影響的研究

本文采用AZO陶瓷靶，用直流磁控濺射的方法在不同溫度的玻璃襯底上生長AZO薄膜，通過對所制備薄膜進行微結構、熱電性能的檢測和分析，研究襯底溫度對所制備的AZO薄膜熱電特性影響的變化規律。

摻雜對ZnO溶膠凝膠薄膜光電特性影響的研究進展

ZnO作為一種重要半導體材料，在光電領域具有廣泛應用前景。本文從第一性原理理論計算和實驗方面綜述了摻雜對ZnO薄膜光電特性的影響。

真空蒸發制備CdSexTe1-x薄膜及其性能研究

按不同比例混合CdTe和CdSe兩種化合物，利用真空蒸發法在玻璃襯底上制備了CdSexTe1-x三元化合物薄膜，分別利用XRD、SEM、EDX、XPS、紫外-可見分光光度計對薄膜的物相結構、表面形貌、元素組成以及光學性能進行了測試

中間層類型對類金剛石涂層界面結合性能和抗磨損能力的影響

大顆粒缺陷在電弧離子鍍所制備薄膜中的分布狀態研究

針對電弧離子鍍制備薄膜產生的大顆粒問題，本文主要研究了大顆粒在薄膜中的分布狀態。