提高含硅納米晶LED亮度的方法研究
阻礙硅納米晶LED 器件在光電集成電路中的廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵問題在于硅納米晶電致發(fā)光強度較低。本文主要采用真空反應(yīng)蒸發(fā)法和高溫相分離方法來制備硅納米晶樣品,然后研究改變Si-nc 濃度、改變襯底材料的電阻率、降低Si-nc 與不同基體(SiO2、Si3N4)之間的界面勢壘、場效應(yīng)、電致表面等離子體等方法對硅納米晶電致發(fā)光強度的影響。
鑲嵌在SiO2、Si3N4 介電質(zhì)中的硅納米晶(silicon nanocrystal, Si-nc) 材料由于尺寸發(fā)生了改變,滿足量子限制效應(yīng),因此其具有一定的光致發(fā)光(photoluminescence, PL) 和電致發(fā)光(electroluminescence, EL)特性。對于硅納米晶的光致發(fā)光,其發(fā)光機理相對簡單且已相對清楚: Si-nc 中的激發(fā)電子進(jìn)入導(dǎo)帶,隨即弛豫到能量處于導(dǎo)帶底附近的界面態(tài),然后與價帶頂空穴復(fù)合,發(fā)出光輻射。因此Si-nc 發(fā)光強度相對較強,并且可通過H 鈍化、Ce 摻雜、基體效應(yīng)等方法來提高其光致發(fā)光強度,而對于硅納米晶的電致發(fā)光,相對于光致發(fā)光而言,其發(fā)光機理相對比較復(fù)雜,包括電子的遂川及電子與空穴的復(fù)合過程,所以其發(fā)光強度相對較低。
本文研究的通過加入Si 的含量,從而提高形成的Si-nc 的濃度來提高硅納米晶的電致發(fā)光強度,改變襯底材料的電阻率對Si-nc EL 強度的影響,將Si-nc 鑲嵌在不同的介電質(zhì)材料中來提高硅納米晶的電致發(fā)光強度,在含硅納米晶的器件中加入場效應(yīng)層從而在界面上形成電場,在電場的方向與外加電場的方向相同時,可提高電子的隧穿幾率,從而提高其EL 強度,在器件表面構(gòu)成表面等離子體來提高硅納米晶的電致發(fā)光強度,為研究硅納米晶LED 的亮度提供一定的依據(jù)。
1、實驗
在本實驗中,所有的硅納米晶薄膜都被制備在純度為99.99%的p 型Si(Si <100> (0.5-1.0 Ωcm))襯底上,將該襯底在H2SO4:H2O2=1:1 的溶液中進(jìn)行清洗,然后將其放入DMDE-450 光學(xué)多層鍍膜機中制備硅納米晶薄膜。在制備過程中,反應(yīng)室壓強為4×10-4 Pa,實驗樣品主要是由SiO、Si的多層結(jié)構(gòu)組成,多層結(jié)構(gòu)的層數(shù)為20 層,每層的厚度分別為:SiO 為2nm,Si 為1nm,在薄膜的制備過程中,SiO 采用電阻加熱的方法制備,而Si采用電子束的方法制備,為了獲得均勻和致密的材料,在蒸發(fā)過程中SiO 的蒸發(fā)速率為Rate=0.8nm/s,而Si 的蒸發(fā)速率為Rate=0.2nm/s,蒸發(fā)速率通過晶振系統(tǒng)監(jiān)測, 晶振系統(tǒng)采用SigmaSQM-160 型晶振儀和Maxtek 金鍍膜的6MHz 晶振片。蒸發(fā)結(jié)束后,將其在溫度為1100℃,氮氣(純度為99.99%) 流量為200Sccm 的條件下退火一小時,即可形成硅納米晶。同時,為了測量其電致發(fā)光(EL)強度,首先將厚度為10um 的Al(純度為99.999%) 電極制備在襯底材料的背面,然后在溫度為480℃的氮氣氛圍中退火10min,以形成良好的歐姆接觸。然后在樣品正面蒸鍍一個環(huán)形的鋁電極,同樣在溫度為200℃的氮氣氛圍中退火5min。
采用真空熱蒸發(fā)的方法首先在p-Si上蒸鍍厚度為7nm 的Al2O3,然后在Al2O3上蒸鍍硅納米晶,7nm 的Al2O3作為場效應(yīng)層,或者首先在p-Si上蒸鍍硅納米晶,然后在硅納米晶上熱蒸鍍厚度為10nm 的i-Si,該i-Si作為場效應(yīng)層。
利用表面等離子體的方法可提高硅納米晶的發(fā)光,本文中利用超聲、熱退火的方法在硅納米晶的表面形成Ag 納米顆粒,該納米顆粒形成局域的表面等離子體,該局域表面等離子體有利于提高硅納米晶的自發(fā)輻射,所以其發(fā)光增強。
2、結(jié)論
本文研究了Si-nc濃度、襯底材料的電阻率、Si-nc與不同基體之間的界面勢壘、場效應(yīng)、電致表面等離子體等方法對硅納米晶的電致發(fā)光強度的影響。通過提高Si-nc的濃度,降低Si-nc與基體之間的界面勢壘可提高硅納米晶的電致發(fā)光強度,通過加入場效應(yīng)層和電致表面等離子體等方法也可大大的提高其EL強度,而對于降低襯底材料的電阻率,其EL 強度卻不一定增加。