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Cu/In原子比及硫化溫度對于CuInS2薄膜性能影響
采用中頻交流磁控濺射方法,在玻璃基底上沉積Cu-In預制膜,采用固態硫化法制備獲得了CuInS2(CIS)吸收層薄膜。考察了預制膜Cu/In原子比及硫化溫度對于CIS薄膜結構及禁帶寬度影響。
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Zn摻雜TiO2薄膜紫外探測器及其光電性能研究
采用射頻磁控濺射的方法制備Zn摻雜TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分別表征TiO2薄膜的晶體結構、表面形貌及其紫外-可見光吸收譜。并用此材料制備Au/TiO2/Au結構MSM光電導型薄膜紫外光探測器,研究其光電特性。
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VOx/TiOx/Ti多層薄膜的制備工藝與內耗研究
用磁控反應濺射法在玻璃和鉬片襯底上制備VOx/TiOx/Ti多層薄膜。用X射線衍射(XRD)、QJ31單臂電橋、薄膜內耗儀等測試了薄膜的晶體結構、電阻、內耗。
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塑料表面濺射電磁屏蔽膜的研究
本文采用磁控濺射技術在聚酯塑料上制備出附著力大于5MPa、2GHz~4GHz頻率范圍內屏蔽效能大于60dB的復合結構的電磁屏蔽膜,并研究了導電膜、導磁膜及其復合膜層的電磁屏蔽特性。
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基底溫度對四元疊層硒化法制備銅銦鎵硒(CIGS)薄膜的影響
利用四元疊層硒化法制備了銅銦鎵硒(縮寫為CIGS)薄膜,重點分析了在疊層法制備CIGS薄膜過程中,基底溫度對CIGS薄膜的晶體結構,表面形貌以及各種元素沿深度分布的影響。
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