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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖可分為雙向脈沖和單向脈沖。
反應(yīng)磁控濺射的工作原理和遲滯現(xiàn)象的解決方法

反應(yīng)磁控濺射技術(shù)是沉積化合物薄膜的主要方式之一。沉積多元成分的化合物薄膜，可以在濺射純金屬或合金靶材時(shí)，通入一定的反應(yīng)氣體，如氧氣、氮?dú)猓磻?yīng)沉積化合物薄膜，這就稱這反應(yīng)磁控濺射。
非平衡磁控濺射的結(jié)構(gòu)和運(yùn)用

非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)，一種是其芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度比外環(huán)高，磁力線沒有閉合。另一種是外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度高于芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度，磁力線沒有完全形成閉合回路。
平衡磁控濺射的概念和優(yōu)缺點(diǎn)

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng)。
碳化釩薄膜的力學(xué)性能分析

利用微力學(xué)探針表征碳化釩薄膜力學(xué)性能，其硬度和彈性模量分別達(dá)到35.5GPa 和358GPa。隨著C2H2 分壓的提高,薄膜形成六方結(jié)構(gòu)的γ-VC ,并逐漸產(chǎn)生非晶碳相,硬度和彈性模量隨之降低。
碳化釩薄膜的成分與微結(jié)構(gòu)分析

利用EDX、XRD、SEM、AFM和微力學(xué)探針等表征在Ar、C2H2 混合氣氛中通過反應(yīng)磁控濺射法制備了一系列不同碳含量的碳化釩薄膜的微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。
反應(yīng)濺射技術(shù)制備碳化釩薄膜的實(shí)驗(yàn)

采用在Ar2C2H2混合氣體中的射頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)可以方便地合成碳化釩薄膜。但是,碳化釩薄膜的化學(xué)成分、相組成、微結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的力學(xué)性能對(duì)C2H2 分壓非常敏感。
襯底溫度對(duì)ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜沉積速率隨襯底溫度的變化不大。
濺射功率對(duì)ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜的沉積速率隨濺射功率的增大幾乎成線性增長(zhǎng)。
反應(yīng)氣壓對(duì)ZAO薄膜沉積速率的影響

在反應(yīng)氣壓增大的情況下, ZAO薄膜的沉積速率不斷上升, 達(dá)到最大值后, 又隨氣壓的增大不斷下降。
O2氣流量對(duì)ZAO薄膜沉積速率的影響

ZAO薄膜沉積速率隨O2氣流量的增加顯著降低, 靶面濺射模式由金屬模式轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸锬Ｊ剑疫@種轉(zhuǎn)變趨勢(shì)在改變其他參數(shù)時(shí)依然明顯。
直流反應(yīng)磁控濺射ZnO:Al薄膜的制備與膜厚的測(cè)量

直流反應(yīng)磁控濺射法制備ZAO薄膜具有低的沉積溫度,高的沉積速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等優(yōu)點(diǎn)。但是這種工藝的穩(wěn)定性不易控制。
ITO薄膜的透射譜的建模及解譜

用直流磁控濺射法在普通載波片上制備了厚度130nm 左右的ITO 薄膜,分別在100、200、300 和400 ℃下退火1h.測(cè)量了退火前后幾個(gè)樣品的XRD 和透射率,利用橢偏解譜方法對(duì)幾個(gè)樣品的透射譜進(jìn)行建模及解譜.
膜基結(jié)合力的劃痕法實(shí)驗(yàn)分析

在瑞士CSM儀器的微劃痕測(cè)試儀對(duì)真空多弧離子鍍?cè)O(shè)備制備的WC2Co/TiN膜基結(jié)合力進(jìn)行劃痕實(shí)驗(yàn),系統(tǒng)地介紹了如何利用MST劃痕儀所測(cè)的聲發(fā)射數(shù)據(jù)、摩擦力數(shù)據(jù)及光學(xué)、電子掃描劃痕形貌來綜合評(píng)定膜基結(jié)合力,并用WS292 劃
劃痕法評(píng)定膜基結(jié)合力的實(shí)驗(yàn)方法

劃痕法是表征膜基結(jié)合力最廣泛、也是研究最多的一種方法。劃痕法表征膜基結(jié)合力的關(guān)鍵是如何判定臨界載荷。
退火溫度對(duì)氧化鎳(NiO)薄膜的影響

隨著退火溫度的升高，薄膜的晶粒尺寸增大，晶粒大小約10~60nm；500℃退火條件下制得的NiO 薄膜組成和結(jié)構(gòu)較好，具有良好的電化學(xué)循環(huán)穩(wěn)定性，有望成為高性能的全固態(tài)薄膜鋰電池陽(yáng)極材料。
直流濺射并結(jié)合熱處理工藝制備氧化鎳薄膜

采用直流濺射并結(jié)合熱處理工藝在400～500℃退火溫度下制備了表面光滑、結(jié)構(gòu)致密、無微孔和裂縫的納米晶NiO 薄膜.
反應(yīng)濺射AlN 薄膜的動(dòng)態(tài)特性

反應(yīng)磁控濺射方法制備AlN薄膜是一種很普遍的方法,為了增強(qiáng)對(duì)該過程的理解,建立了反應(yīng)濺射過程的動(dòng)態(tài)模型.應(yīng)用該模型分析了當(dāng)?shù)髁吭黾踊驕p少時(shí),過程中的各個(gè)參數(shù)隨時(shí)間變化的瞬態(tài)行為.
氟化非晶碳膜的微結(jié)構(gòu)分析

利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法,在不同的溫度下制備了氟化非晶碳膜.采用原子力顯微鏡(AFM)、X 射線光電子能譜(XPS)和傅里葉紅外吸收光譜(FTIR)等儀器對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征.
氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜的性能測(cè)試分析

研究了輻照試驗(yàn)前后ITO 樣品的光電性能變化，并用XPS和AFM對(duì)其組分及表面形貌變化進(jìn)行了分析。結(jié)果表明，輻照后ITO薄膜的光學(xué)透過率變化不大；表面電阻有一定增加，但幅度不大，完全可以滿足防靜電的要求。