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高功率脈沖磁控濺射制備TiNx涂層研究

本文利用高功率復合脈沖技術(shù)制備TiNx涂層，電源能量輸出采用直流與脈沖疊加形式，主要研究氮氣流量對膜層性能的影響，并與直流磁控濺射沉積涂層進行對比研究。

磁控濺射AlN/Cu納米復合涂層的性能研究

本文通過雙靶反應磁控濺射的方法制備得到了一系列Cu含量不同的A-lCu-N涂層，將Cu含量最高擴展到了17.0%。

基體偏壓對高功率脈沖磁控濺射制備類石墨碳膜的影響研究

采用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)于Si基底表面制備了類石墨碳膜, 研究了基體偏壓對薄膜沉積速率、微觀結(jié)構(gòu)、力學性能及摩擦學性能的影響規(guī)律。

電子回旋共振波射頻濺射系統(tǒng)設(shè)計

本文以ECWR技術(shù)為背景，介紹了一種電子回旋共振波射頻濺射鍍膜系統(tǒng)的設(shè)計。

復雜工件表面磁控濺射鍍膜均一化控制的研究

介紹了復雜型腔工件表面薄膜涂覆機理與技術(shù)特點。

基于PLC的磁控濺射溫度控制系統(tǒng)設(shè)計

本文以西門子S7-300可編程控制器(PLC)為控制核心，通過觸摸屏構(gòu)成人機交換界面(HMI)，論述了磁控濺射溫度控制系統(tǒng)的性能特征與控制方法。

Cu層濺射時間對兩種ZnO復合透明導電薄膜光電性能的影響

a-C:H膜在不同真空度下的摩擦學行為研究

隨著真空度的升高，a-C:H薄膜的摩擦系數(shù)逐漸減小，磨損率逐漸增大。

本底真空度對磁控濺射法制備AZO 薄膜的影響

采用直流磁控濺射方法在平板玻璃基體表面沉積AZO薄膜，研究了本底真空度對薄膜厚度、方塊電阻以及在300 ～1100nm波長范圍內(nèi)透過率的影響。

光譜擬合法確定一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)薄膜材料的復數(shù)光學常數(shù)

為了獲得一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鑭鍶錳氧薄膜材料的復數(shù)光學常數(shù), 利用光學薄膜原理和數(shù)學優(yōu)化方法,對磁控濺射技術(shù)制備的不同厚度的鑭鍶錳氧薄膜。

SrHfON高k柵介質(zhì)薄膜的漏電特性研究

采用射頻反應磁控濺射法在p-Si(100) 襯底上成功制備出SrHfON高k柵介質(zhì)薄膜, 并研究了Au/SrHfON/Si MOS 電容的漏電流機制及應力感應漏電流(SILC)效應。

航天器柔性熱控薄膜研究現(xiàn)狀

環(huán)境至關(guān)重要。本文針對空間熱控技術(shù)發(fā)展要求, 綜述了國內(nèi)外柔性熱控薄膜材料的技術(shù)指標以及應用現(xiàn)狀。

真空環(huán)境中多場耦合對Au/Cu/Si薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響

采用磁控濺射方法在Si基底上制備了Au/Cu薄膜。利用掃描俄歇微探針納米化分析技術(shù)進行表面成分分析與深度剖析, 研究在真空環(huán)境中, 紫外輻照、微氧氧含量及處理溫度等因素作用對Au/ Cu薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響。

離軸磁控濺射生長鈣鈦礦外延薄膜

本文從磁控濺射原理出發(fā)分析離軸磁控濺射相對于其他外延薄膜生長方式的優(yōu)勢, 介紹了離軸磁控濺射的發(fā)展。

可調(diào)脈沖功率(MPP)磁控濺射電源研制及放電特性的研究

可調(diào)脈沖電源MPP（modulated pulsed power）磁控濺射技術(shù)是一種新型的高功率磁控濺射技術(shù)。

直流磁控濺射中磁場強度和陰極電壓對圓平面靶刻蝕形貌的影響

本文借助Comsol和Matlab軟件模擬了直流磁控濺射圓平面靶系統(tǒng)的磁場分布和荷電粒子分布，對不同磁場強度和陰極電壓條件下的荷電粒子分布進行了模擬分析。

工作氣壓對室溫磁控濺射CIGS膜的影響

研究了工作氣壓對磁控濺射法制備CIGS薄膜的影響, 采用X 射線衍射, 掃描電鏡, X 射線螢光光譜和X 射線能量色散譜分析了膜層的組織和成分。

射頻磁控濺射沉積Al/Al2O3納米多層膜的結(jié)構(gòu)及性能

運用射頻磁控濺射技術(shù)在Si(100) 基片及40Cr鋼基體上制備了調(diào)制周期K= 60nm, 調(diào)制比G= 0.25~3的Al/A12O3納米多層膜。

常用的幾種塑料真空鍍膜材料

常用的幾種塑料真空鍍膜材料有：ABS塑料、聚酯、聚乙烯、聚氯乙烯等。

如何挑選真空鍍膜的塑料材料

什么樣的塑料才能用真空鍍膜機鍍膜呢，本文歸納了三種真空鍍膜的塑料材料。