真空應(yīng)用
推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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聚碳酸酯表面碳基薄膜的制備及其光學(xué)性能研究
本文采用RFPECVD技術(shù)在PC材料表面沉積DLC薄膜，研究DLC薄膜和PC基片系統(tǒng)的摩擦學(xué)和光學(xué)性能。
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立方氮化硼薄膜的制備及研究
本文采用過渡層技術(shù)，在硅片上先沉積三元BC-N過渡層，再沉積c-BN層，有效地降低薄膜內(nèi)應(yīng)力，實現(xiàn)了c-BN厚膜的制備。同時，本文也對薄膜的結(jié)構(gòu)、成分、表面狀態(tài)和納米硬度進行了表征。
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Ti6Al4V表面沉積TiCN薄膜的結(jié)構(gòu)及水環(huán)境中的摩擦學(xué)性能
本文即采用多弧離子鍍技術(shù)在Ti6Al4V合金表面沉積TiCN薄膜，研究了該薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)以及在干摩擦、水和海水環(huán)境條件下的摩擦學(xué)行為。
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硫渣真空蒸餾的實驗探究
本文采用真空蒸餾的方法，利用錫與硫化亞銅在真空高溫下進行反應(yīng)，得到硫化亞錫與金屬銅，其中硫化亞錫在此條件下全部揮發(fā)，從而實現(xiàn)硫渣中錫銅分離回收的目的，為硫渣處理的新方法提出了思路。
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真空精煉提純工業(yè)硅除鈣研究
本文在真空揮發(fā)精煉除鈣理論研究的基礎(chǔ)上，開展了工業(yè)硅真空揮發(fā)精煉除鈣的實驗研究，考查了精煉時間、精煉溫度等因素對鈣去除效果的影響。
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MgO/Au復(fù)合薄膜的反應(yīng)射頻磁控濺射法制備及表面形貌研究
本文采用反應(yīng)射頻磁控濺射法制備MgO/Au復(fù)合薄膜，比較了Mg靶和Au靶共濺射、分步濺射制備復(fù)合薄膜的表面成分及形貌，研究了濺射時襯底溫度和Ar/O2氣體流量比對薄膜晶粒分布、晶粒尺寸和結(jié)晶取向的影響。
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鋼鐵基體沉積金剛石膜的研究進展
本文對不同成分和組織鋼鐵基體化學(xué)氣相沉積金剛石膜的影響因素進行了分析，綜述了鋼鐵表面化學(xué)氣相沉積金剛石膜的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，指出了今后鋼鐵上沉積金剛石膜的發(fā)展方向。
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基于氧化錫薄膜的表面?zhèn)鲗?dǎo)場致發(fā)射陰極陣列的制備及性能研究
利用磁控濺射和陽光刻技術(shù)在玻璃基底上成功制備了不同厚度SnO2的表面?zhèn)鲗?dǎo)場致發(fā)射陰極陣列，并測試其場致發(fā)射性能。
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真空管道交通系統(tǒng)超音速狀態(tài)下熵層的研究
基于粘性流體k-ε雙方程湍流模型，建立真空管道交通系統(tǒng)三維數(shù)學(xué)模型和物理模型，并在超音速狀態(tài)下對所建模型進行數(shù)值模擬。
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SiC顆粒增強鋁基復(fù)合材料的真空釬焊性研究
選用Pb80Sn20釬料，對體積分數(shù)20%的SiCP/A356復(fù)合材料進行真空釬焊，分析了表面鍍鎳和不鍍鎳對其真空釬焊性的影響，并通過金相顯微、能譜分析等手段研究了保溫時間對其釬焊接頭組織的影響。
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126kV模塊化三斷口真空斷路器靜、動態(tài)均壓設(shè)計
采用有限元法計算了U型三斷口真空斷路器的分布電容參數(shù)，并通過工頻分壓特性試驗驗證了計算的準確性，根據(jù)靜態(tài)分壓比計算結(jié)果選擇了合適的靜態(tài)均壓電容值。
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用于真空熱處理爐的石墨電熱元件性能分析
本文將應(yīng)用理論分析和仿真分析相結(jié)合的方法科學(xué)的評價石墨作為電熱元件的優(yōu)缺點，為真空電熱元件的設(shè)計提供依據(jù)。
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