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真空應用

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

一種窄帶導模共振負濾光片的設計

由于弱調(diào)制光柵可以等效為平面波導, 本文從平面波導的本征方程出發(fā), 導出垂直入射時弱調(diào)制光柵共振位置的表達式。
新型雙通道日夜濾光片的設計與鍍制

紅外相機和監(jiān)控系統(tǒng)在日夜成像時使用日夜濾光片代替紅外截止濾光片, 以保證白天成像無色差, 同時晚上能成黑白像。
同軸腔高功率多注速調(diào)管注-波互作用系統(tǒng)的模擬設計

以同軸腔高功率多注速調(diào)管為研究對象, 以大信號程序KLY及PIC粒子模擬軟件對其多電子注- 波互作用系統(tǒng)開展了一維初始設計、二維等效設計及全三維模擬設計。
輝光弧光協(xié)同共放電方式制備TiN薄膜的研究

分別采用中頻磁控濺射、電弧離子鍍及輝光弧光協(xié)同共放電混合鍍?nèi)N方式在碳鋼基體上制備TiN薄膜, 采用各種技術(shù)對薄膜表面形貌、顯微硬度、膜厚、耐腐蝕性進行測試。
非軸對稱磁場對多級降壓收集極性能的影響

非軸對稱磁場對多級降壓收集極性能的影響，收集極性能的改善也為行波管效率的提高提供了保證。
低能斜入射離子束誘導單晶硅納米結(jié)構(gòu)與光學性能研究

為了研究低能Ar+離子束在不同入射角度下對單晶硅表面的刻蝕效果及光學性能, 使用微波回旋共振離子源, 對單晶Si(100)表面的各種性能進行了測量。
Nb1-xWxSe2的制備及其摩擦學性能研究

通過W摻雜固相合成Nb1- xWxSe2, 采用X射線衍射、掃描電鏡、透射電子顯微鏡分析了樣品中的相成分、微觀形貌和元素成分。
W波段平面線形排列多注分布作用管諧振腔的研究

通過三維仿真軟件CST-MSW建立了平面線形排列的多注分布作用速調(diào)管五間隙諧振腔的物理模型, 獲得了結(jié)構(gòu)參數(shù)對腔體的場形、特性阻抗等相關(guān)冷參數(shù)的影響。
ICP深硅刻蝕工藝研究

感應耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)是微機電系統(tǒng)器件加工中的關(guān)鍵技術(shù)之一。
GCr15鋼表面激光硼化研究

在已經(jīng)過常規(guī)淬火的GCr15軸承鋼表面, 利用脈沖Nd:YAG激光進行了B4C粉末硼化改性處理。
GaAs/GaAlAs光陰極的XPS深度剖析

GaAs光陰極是一種高性能光陰極, 它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。
W波段高頻輸出窗仿真與實驗研究

研究了W波段高頻輸出窗的工作特性及三個關(guān)鍵結(jié)構(gòu)尺寸對工作特性的影響規(guī)律。
光譜擬合法確定一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)薄膜材料的復數(shù)光學常數(shù)

為了獲得一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鑭鍶錳氧薄膜材料的復數(shù)光學常數(shù), 利用光學薄膜原理和數(shù)學優(yōu)化方法,對磁控濺射技術(shù)制備的不同厚度的鑭鍶錳氧薄膜。
SrHfON高k柵介質(zhì)薄膜的漏電特性研究

采用射頻反應磁控濺射法在p-Si(100) 襯底上成功制備出SrHfON高k柵介質(zhì)薄膜, 并研究了Au/SrHfON/Si MOS 電容的漏電流機制及應力感應漏電流(SILC)效應。
航天器柔性熱控薄膜研究現(xiàn)狀

環(huán)境至關(guān)重要。本文針對空間熱控技術(shù)發(fā)展要求, 綜述了國內(nèi)外柔性熱控薄膜材料的技術(shù)指標以及應用現(xiàn)狀。
真空環(huán)境中多場耦合對Au/Cu/Si薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響

采用磁控濺射方法在Si基底上制備了Au/Cu薄膜。利用掃描俄歇微探針納米化分析技術(shù)進行表面成分分析與深度剖析, 研究在真空環(huán)境中, 紫外輻照、微氧氧含量及處理溫度等因素作用對Au/ Cu薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響。
電致變色薄膜器件在空間中的應用前景

電致變色薄膜器件的光學性質(zhì)可以隨外加電場而發(fā)生可逆的變化, 利用這種性質(zhì), 電致變色薄膜器件可以廣泛應用于建筑、汽車、航天等領(lǐng)域, 在節(jié)能、熱控等方面發(fā)揮作用。
微型星用可變輻射器

微型星用熱開關(guān)輻射器因其輻射能力可根據(jù)需要主動調(diào)節(jié), 整體采用薄膜和微結(jié)構(gòu)制造, 具有輕小、低功耗等的特點, 非常適合于微/納衛(wèi)星熱控應用。
不同襯底溫度下生長的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS 研究

采用固相反應法合成具有焦綠石立方結(jié)構(gòu)的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN) 陶瓷靶材, 采用脈沖激光沉積法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100) 基片制備立方BZN 薄膜, 襯底溫度在500~ 700℃范圍內(nèi)變化。
前驅(qū)膜疊層及硒化升溫方式對銅銦鎵硒薄膜性能的影響

以鈉鈣玻璃為襯底, 利用兩靶磁控濺射的方法, 選擇不同的疊層方式制備銅銦鎵前驅(qū)膜。