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H2S氣氛下硫化溫度對Cu2ZnSnS4薄膜性能影響的研究

本文采用兩步法制備CZTS薄膜。

有機溶劑對氧化鉍納米結構形貌和場發射性能的影響

為了研究有機溶劑對化學合成法中生成的氧化鉍納米材料結構及場發射性能的影響，反應過程中，分別添加三個不同劑量的有機溶劑，獲得三種產物。利用掃描電鏡對其結構進行分析，并進行場發射性能測試。

氧化處理TiNi合金薄膜的摩擦性能及其對滾動直線導軌滾道的防護

本文采用兩種不同氧化工藝實現TiNi 薄膜的氧化處理。利用球-盤式摩擦實驗機考察了干摩擦條件下表面氧化處理后TiNi 薄膜的摩擦學性能，并鍍制到導軌表面，期望提高導軌的減摩耐磨性能，從而提高其傳動和定位精度。

脈沖偏壓對離子束輔助電弧離子鍍TiN/Cu納米復合膜結構及硬度的影響

本文采用離子束輔助電弧離子鍍技術在高速鋼(HSS) 基體上沉積TiN/Cu納米復合膜，研究基體脈沖偏壓幅值對TiN/Cu納米復合膜的成分、結構及硬度的影響。

脈沖電壓對HPPMS制備CrN薄膜的組織結構與力學性能的影響

本文采用HPPMS技術制備CrN硬質薄膜，重點研究電源脈沖電壓對CrN薄膜的結構和性能的影響。

離子能流密度對AISI304不銹鋼氮化層摩擦性能的影響

采用低溫等離子體氮化技術，對AISI304不銹鋼進行表面氮化處理，考察了離子能流密度對不銹鋼氮化層性能的影響。

基體放置狀態與脈沖偏壓幅值對大顆粒形貌和分布的影響

本文通過改變基體上施加的脈沖偏壓幅值、靶基面相對位置和基體的放置狀態，來研究這些參數對電弧離子鍍中大顆粒缺陷數目和分布的影響規律，為選擇合適的靶基表面相對位置和脈沖偏壓幅值，減少甚至消除大顆粒引起薄膜

(TiAlNb)N多組元硬質反應膜研究

采用多弧離子鍍技術，通過采用Ti-Al 合金靶及Ti-Nb靶的組合方式，在高速鋼基體上制備了(TiAlNb) N多組元硬質反應膜。

類金剛石碳膜高溫摩擦學性能的研究進展

本文綜述了近年來國內外高溫工況條件下類金剛石碳膜的摩擦學性能研究成果，總結了類金剛石碳膜在高溫環境下的摩擦學性能及其影響因素規律，闡述了類金剛石碳膜高溫摩擦學行為的分析方法，提出了類金剛石碳膜高溫摩擦

Si3N4球/DLC膜摩擦副在真空環境下的摩擦學行為研究

本文研究了真空環境下DLC膜與Si3N4摩擦副的摩擦學行為，分析探討DLC膜摩擦副在真空環境下的摩擦磨損機理，為DLC膜在真空環境下的應用提供理論依據。

(Ti，Al，Si，C)N硬質膜層高溫性能研究

采用等離子增強電弧離子鍍聯合磁控濺射工藝制備了含35%(原子比)C的(Ti，Al，Si，C)N硬質膜層，并利用掃描電鏡、X射線衍射儀及高溫摩擦磨損試驗儀表征了膜層在不同退火條件下的性能及組織演變行為。

銀基透明導電薄膜制備及其性能研究

本文采用磁控濺射沉積，通過優化Ag層與上下介質層膜厚，獲得了ZnO/Ag/ZnO、AZO/Ag/AZO 體系的三層透明導電薄膜，并且在Ag與氧化物界面插入超薄LiF或Al來探究該體系多層膜的熱穩定性。

航天薄膜材料力學性能評價及誤差分析研究

通過理論分析與試驗研究，從薄膜材料、樣品加工、拉伸試驗及模擬試驗四個角度，對空間環境下薄膜材料力學性能退化試驗的誤差來源及影響進行了研究。

電場儀球形傳感器涂覆方案研究

電場儀涂層的均勻性是影響其電場測量精度的重要因素，手工噴涂方案難以滿足涂層的均勻性需求，且工藝不穩定。為解決電場儀球形傳感器涂層噴涂的均勻性問題，提出了一種新的噴涂方案。

不同氫濃度對超納米金剛石膜結構及耐磨性影響的研究

MPCVD金剛石膜沉積技術及金剛石膜材料在微波電真空器件中的應用

本文將首先簡述MPCVD方法沉積金剛石膜的原理，進而介紹國內外MPCVD金剛石膜沉積技術的發展現狀以及MPCVD方法在制備高品質金剛石膜材料方面的應用情況。

離子鍍膜技術的進展

本文介紹了離子鍍膜技術的意義、各種鍍膜技術的原理、特點、發展和應用范圍。

TiO2薄膜光電導與光催化性能關系的研究

采用溶膠-凝膠法在石英基板上旋涂制備不同系列的TiO2薄膜樣品(摻F濃度、保溫時間、薄膜厚度、晶型) ，并用X射線衍射等分析測試手段對樣品的結構等性能進行表征。

Sol-gel法制備Co-Mn共摻雜ZnO粉體和紅外發射率的研究

采用溶膠-凝膠法制備不同Co-Mn共摻雜濃度的ZnO前驅體，并在不同溫度下對其進行煅燒。

無硫化過程磁控濺射制備Cu2ZnSnS4薄膜及其結構和光學性質研究

使用Cu2ZnSnS4(CZTS) 靶材，通過射頻磁控濺射方法鍍膜，不經后期硫化處理，在鈉鈣玻璃襯底上沉積了鋅黃錫礦結構的CZTS薄膜材料。