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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

Ti/TiB2多層膜在Hank’s 模擬體液中耐蝕性研究

采用磁控濺射法在醫(yī)用鈦合金Ti6Al4V 和硅基體上沉積了Ti /TiB2多層膜。通過(guò)X 射線(xiàn)衍射儀分析了薄膜的相結(jié)構(gòu)，采用掃描電鏡觀(guān)察了薄膜的表面形貌和斷面多層結(jié)構(gòu)，利用電化學(xué)法研究了Ti /TiB2多層膜在Hank’s 模擬體液
ZrB2體材及薄膜制備技術(shù)研究

本研究采用冷等靜壓成型加高溫?zé)Y(jié)的方法制備ZrB2塊材，并采用磁控濺射技術(shù)在UO2燃料芯塊表面制備ZrB2膜層，為一體化可燃毒物的制備奠定基礎(chǔ)。
新型La2Zr2O7環(huán)境障涂層的1300℃熱沖擊行為研究

采用化學(xué)氣相沉積和原位合成工藝在Cf/SiC 基體上制備了Si/3Al2O3·2SiO2/La2Zr2O7 新型環(huán)境障涂層，研究了EBC 涂層在1300 ℃的抗熱沖擊性能。
稀土Dy摻雜ZnTe薄膜光學(xué)性能及其XPS研究

本文利用真空蒸發(fā)雙源法制備了稀土元素Dy摻雜ZnTe薄膜，發(fā)現(xiàn)摻雜并沒(méi)有改變薄膜的物相結(jié)構(gòu)，但對(duì)薄膜的結(jié)晶、形貌及光學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生了明顯影響，為CdTe太陽(yáng)電池背接觸層的進(jìn)一步發(fā)展提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
雙排全幅寬無(wú)間隔布局快速蒸發(fā)ZnS鍍膜技術(shù)的研究

本文詳細(xì)介紹了雙排全幅寬無(wú)間隔布局快速蒸發(fā)ZnS 鍍膜技術(shù)的工作原理、結(jié)構(gòu)組成、性能特點(diǎn)和創(chuàng)新設(shè)計(jì)要點(diǎn)。分析并指出影響ZnS 鍍膜質(zhì)量、生產(chǎn)效益的主要因素和解決途徑。
ITO 薄膜方塊電阻測(cè)試方法的探討

針對(duì)ITO 薄膜方塊電阻測(cè)試方法，文章探討了常規(guī)的四探針?lè)ㄅc雙電測(cè)四探針?lè)ㄔ趯?shí)際生產(chǎn)中的適應(yīng)性、準(zhǔn)確性。根據(jù)玻璃基板上的ITO 薄膜和聚脂薄膜上的ITO 薄膜的結(jié)構(gòu)、物理特性不同特點(diǎn)，測(cè)試方塊電阻時(shí)應(yīng)注意的細(xì)節(jié)作
氫化非晶硅薄膜制備及其橢圓偏振光譜測(cè)試分析

本文采用射頻磁控濺射法制備了a-Si:H 薄膜，通過(guò)橢圓偏振光譜對(duì)不同氣壓下薄膜的厚度、折射率和消光系數(shù)進(jìn)行了測(cè)試和研究。
共濺射法制備Cu摻雜ZnO薄膜結(jié)構(gòu)及性能的研究

本文通過(guò)采用新的制備方法(直流- 射頻雙靶共濺射)成功制備出Cu摻雜的p 型ZnO薄膜。并分析了Cu靶濺射功率與氧分壓對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。
襯底材料對(duì)空心陰極沉積氫化微晶硅薄膜的影響

研究了襯底材料對(duì)微晶硅薄膜生長(zhǎng)的影響，并在低溫下制備出微晶硅薄膜，這個(gè)對(duì)于柔性基材尤為重要。具有高等離子體密度和低電子溫度的空心陰極等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(MHC-PECVD)被用來(lái)生長(zhǎng)微晶硅薄膜。
Cu（In,Al）（S,Se）2薄膜的三靶共濺射制備與性能表征

本文采用磁控三靶(CuIn0.7Al0.3靶、Al靶、Cu靶)共濺射的工藝制備了CIA合金預(yù)制膜，以濺射的方式引入摻雜的Al元素。之后再經(jīng)過(guò)不同溫度和時(shí)間下的固態(tài)源硫硒化退火，以期研究制備出具有黃銅礦結(jié)構(gòu)特征的CIASSe薄膜。
離子轟擊對(duì)HIPIMS制備TiN薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響

本文采用HIPIMS技術(shù)制備TiN薄膜，通過(guò)調(diào)整基底旋轉(zhuǎn)方式控制基體是否接受離子持續(xù)轟擊，進(jìn)而研究離子轟擊對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌以及性能產(chǎn)生的影響。
活塞環(huán)表面CrMoN復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)及摩擦學(xué)性能研究

本文采用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)，通過(guò)改變Mo靶電流值大小在活塞環(huán)表面制備了不同Mo原子百分含量的CrMoN復(fù)合薄膜，并對(duì)其化學(xué)成分、相結(jié)構(gòu)、表面形貌進(jìn)行研究。比較研究了電鍍Cr活塞環(huán)與CrMoN復(fù)合薄膜活塞環(huán)的硬度
不同調(diào)制比NbSiN/VN多層膜微觀(guān)結(jié)構(gòu)、力學(xué)和摩擦性能研究

本文設(shè)計(jì)了不同VN膜層厚度的NbSiN/VN多層膜體系，研究不同調(diào)制周期的NbSiN/VN多層膜微觀(guān)結(jié)構(gòu)，力學(xué)和摩擦性能。
直流電弧等離子蒸發(fā)法制備納米銀粉及其表面改性

本文制備的銀粉平均粒徑為54nm，粒徑分布在5~220nm區(qū)間，測(cè)試其在無(wú)水乙醇中的pH-zeta電位，并系統(tǒng)研究了表面活性劑種類(lèi)、加入量及超聲時(shí)間對(duì)銀粉分散性能的影響，將該粉體應(yīng)用在導(dǎo)電漿料中測(cè)試其電性能，并對(duì)其分散
藍(lán)寶石鍍Ti/Ni復(fù)合膜及高溫預(yù)擴(kuò)散的研究

本文主要研究了900 ℃ 下，不同膜厚的鍍Ti/ Ni藍(lán)寶石在不同的保溫時(shí)間下的擴(kuò)散效果，研究了表面成分及微觀(guān)結(jié)構(gòu)與其鍍膜厚度的關(guān)系，從而總結(jié)出藍(lán)寶石的最佳鍍膜厚度及高溫預(yù)擴(kuò)散工藝規(guī)律，該規(guī)律對(duì)今后的實(shí)踐應(yīng)用
微晶硅薄膜材料的沉積以及微結(jié)構(gòu)與光電特性的研究

本文采用RF-PECVD技術(shù)，在較高的射頻功率和沉積氣壓條件下，通過(guò)改變硅烷濃度和襯底溫度等參數(shù)，制備微晶硅薄膜材料。研究了沉積參數(shù)對(duì)微晶硅薄膜材料的微結(jié)構(gòu)以及光電特性的影響，并研究了它們光電特性及其相關(guān)性。
等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)及其應(yīng)用研究

關(guān)于A(yíng)LD技術(shù)和工藝的研究已經(jīng)較為深入，關(guān)于PEALD技術(shù)和應(yīng)用的研究也越來(lái)越受到研究者的關(guān)注。為了深入研究PEALD的關(guān)鍵技術(shù)和工藝條件，作者設(shè)計(jì)了一套遠(yuǎn)程脈沖PEALD系統(tǒng)，并首次探索了其在原位沉積氮摻雜納米TiO2可
外延BiFe0.95Mn0.05O3薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究

本文選擇用5%的Mn離子代替BiFeO3中的Fe離子，用磁控濺射的方法在SrTiO3單晶基片上外延生長(zhǎng)了BiFe0.95Mn0.05O3薄膜，探索制備外延薄膜的最佳工藝條件，分析沉積溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。
蒸發(fā)源位于半球面正下方膜厚分布理論研究

對(duì)蒸發(fā)源位于非平面基底-半球面正下方時(shí)膜厚均勻性進(jìn)行了理論研究。
真空鍍鋁技術(shù)在反光布上的應(yīng)用

本文針對(duì)真空鍍鋁機(jī)在反光布上的應(yīng)用做一個(gè)簡(jiǎn)單的綜述和實(shí)踐探索。