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中頻磁控反應濺射AlN薄膜及微觀結構研究

采用中頻磁控反應濺射工藝進行了氮化鋁薄膜的制備，對沉積速率、晶體結構和表面形貌與氮氣流量和濺射功率之間的變化關系進行了研究

磁控濺射法制備鐵氧體薄膜的界面結合強度研究

利用磁控濺射法在單硅晶基底和玻璃基底上沉積鐵氧體薄膜，采用AFM 觀察薄膜的微觀形貌，采用劃痕法測試薄膜的界面結合強度。

磁控濺射技術無鉛金屬化技術在電子行業的應用

磁控濺射是一種物理氣相沉積技術，工藝本身是一種環保技術，膜材的適應性很廣，在綠色制造中由其明顯的技術優勢。

濺射工作氣壓對Fe/Si3N4多層膜微波磁性的影響

在不同的濺射氣壓下,采用連續磁控濺射制備了Fe/Si3N4多層膜,探討了濺射氣壓對多層膜微波磁性的影響

磁控濺射TiN/Cu-Zn納米多層膜腐蝕和抗菌性能研究

采用雙靶磁控濺射的方法在不銹鋼表面沉積了TiN/Cu-Zn納米多層膜,研究了多層結構對膜層耐腐蝕性能和抗菌性能的影響,以及表面腐蝕與抗菌的關系

封閉磁場非平衡磁控濺射偏壓對CrN鍍層摩擦學性能影響

用劃痕法測定了鍍層結合強度、用球- 盤方法測定了鍍層摩擦系數和比磨損率、用壓入法評價鍍層韌性,硬度測試在維氏硬度計上進行

反應磁控濺射沉積SiOx薄膜制備鑲嵌在二氧化硅介質中納米晶硅不可行性研究

探討反應磁控濺射不宜用于制備鑲嵌在二氧化硅介質中納米晶硅(nc2Si/SiO2)的前驅體SiOx膜的原因

電磁陰極磁場分布對磁控濺射系統伏安特性的影響

設計了一種新型圓形平面陰極磁控濺射源

非平衡磁控濺射制備氮化硅薄膜及其性能研究

采用非平衡磁控濺射技術,通過改變氮氣和氬氣分壓比P(N2)/P(Ar),在鈦合金(Ti6Al4V)表面制備出不同結構及性能的氮化硅薄膜。

離子束濺射制備CuInSe2薄膜的研究

利用離子束濺射沉積技術,設計三元復合靶,直接制備CuInSe2 薄膜。通過X射線衍射儀 、原子力顯微鏡和分光光度計檢測在不同襯底溫度和退火溫度條件下制備的薄膜的微結構、表面形貌和光學性能。

等離子體發射監控系統參與的中頻孿生反應磁控濺射沉積TiO2薄膜的實驗研究

磁控濺射薄膜生長全過程的計算機模擬研究

本文結合了PIC ,MC , EAM,CIC 等方法對整個等離子體磁控濺射成膜過程進行了多尺度的計算機模擬,并系統研究了磁控濺射成膜過程中基板溫度、磁場分布、靶材-基板間距等參數對成膜的影響。

磁控濺射靶的磁路設計

本文中的磁場設計, 提高了磁力線平行靶面的范圍, 對靶面的均勻濺射和靶材的利用率與通常的磁場結構相比有很大的提高。

一種全靶腐蝕磁控濺射設備

基于一種利用磁場將等離子體產生與濺射分開的這種結構構造了一個實驗平臺對其進行了研究, 實現了全靶腐蝕, 提高了系統的穩定性。

磁控濺射制備(Ti,Al,Cr)N硬質薄膜及其力學性能的研究

采用超高真空反應磁控共濺射在不銹鋼基體上成功制備TiAlCrN薄膜。通過改變Cr靶濺射功率得到不同表面形貌、不同力學性能的TiAlCrN薄膜。

磁控濺射帶電粒子的運動分布以及靶面刻蝕形貌的研究

利用有限元軟件ANSYS和數值分析軟件MATLAB仿真了磁控濺射中電磁場的分布，結合受力分析和運動理論得到了粒子在空間區域內的運動以及它們在靶面附近的位置分布特點。

塑料表面濺射電磁屏蔽膜的研究

本文采用磁控濺射技術在聚酯塑料上制備出附著力大于5MPa、2GHz~4GHz頻率范圍內屏蔽效能大于60dB的復合結構的電磁屏蔽膜，并研究了導電膜、導磁膜及其復合膜層的電磁屏蔽特性。

直流反應磁控濺射在3003鋁箔表面制備薄膜的研究

為有效提高3003鋁箔表面光澤度、比面積及強硬度，采用直流反應磁控濺射的方法，在一定濺射參數條件下，選用高純鉬靶和鈦靶對3003鋁箔進行濺射實驗。

一種嶄新的鍍膜技術——等離子體束濺射

詳細描述一種等離子體高效濺射系統及應用工藝。此種嶄新的濺射技術結合了蒸發鍍的高效及濺射鍍的高性能特點, 特別在多元合金以及磁性薄膜的制備, 具有其他手段無可比擬的優點。

新型等離子體束濺射鍍膜機

本文介紹了新型的等離子體束濺射鍍膜機的系統組成、特點、試驗結果等內容。該鍍膜機將等離子體發生和控制技術應用于濺射鍍膜中，克服了磁控濺射的靶材利用率低及難以沉積鐵磁性材料的缺點。